"프리미엄 낸드로 AI시장 주도"…삼성 4人 통해 들어본 초격차 비결은

[이데일리 최영지 기자] “인공지능(AI) 시대에 고대역폭메모리(HBM) 이외 다양한 솔루션이 요구된다. 삼성전자 V낸드는 고성능 스토리지로서 정확하고 빠른 AI서비스 실현에 기여할 것이다.”(현재웅 삼성전자(005930) DS부문 상품기획실 상무)

“낸드는 고용량, 고성능 요구에 부합하는 방향으로 기술이 발전 중이다. 이전 제품 난제를 해결하기 위해 9세대 V낸드에선 관통형 수평 접합 기술을 세계 최초로 적용했다.”(홍승완 삼성전자 DS부문 플래시(Flash)개발실 부사장)

홍승완 삼성전자 DS부문 플래시(Flash)개발실 부사장 (사진=삼성전자)

삼성전자(005930)는 21일 자사 반도체 뉴스룸을 통해 DS부문 Flash개발실의 홍승완 부사장과 김은경·조지호 상무와 현재웅 상품기획실 상무 등 낸드제품 기획·개발 담당자 4인 인터뷰를 통해 AI 시대를 주도한 낸드에 대한 설명을 이같이 담았다. 전 세계적으로 낸드 사업은 업황 악화에 손실이 불가피했지만 급격한 AI 시장 성장 속에서 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 수요 확대도 지속될 것으로 전망된다.

이들은 △9세대 V낸드의 숨겨진 혁신 기술 △AI시대에서 낸드플래시의 역할 △고용량 낸드플래시의 중요성 △향후 낸드플래시 시장 전망 및 대응방안 등을 소개했다. 앞서 삼성전자는 지난달 말 업계 최초로 1Tb(테라비트) TLC 9세대 V낸드 양산 소식을 전했다. 단수를 공식적으로 밝히진 않았으나 290단 수준 추정된다. 기존에는 SK하이닉스 제품이 238단 최고층을 유지하고 있었으나 역전 당한 셈이다.

이어 현재웅 상무는 “AI 학습 재료가 되는 대규모 데이터를 담을 공간이 있어야 하고, 추론 단계에서 알고리즘이 빠르게 동작하기 위한 고성능 스토리지가 필요하다”며 “삼성전자 V낸드는 정확하고 빠른 AI 서비스 실현에 기여할 것”이라고 했다.

현재웅 삼성전자 DS부문 상품기획실 상무(사진=삼성전자)

9세대 V낸드가 업계 최소 크기 셀과 최소 몰드 두께를 구현할 수 있었던 배경으로 삼성만의 혁신기술인 형성 및 식각 공정도 소개했다. 홍승완 부사장은 “9세대 V낸드는 업계 최소 크기 셀과 최소 두께의 칩 동작층(몰드)이 구현돼 이전 세대보다 약 1.5배 높은 비트 밀도를 갖췄다”며 “스택 당 고종횡비(HARC) 식각 공정 수를 최소화하는 기술, 고성능 소자 제조를 위한 하이 메탈 게이트 공정 기술, 다양한 조합의 멀티 본딩 기술 등을 통해 혁신을 이어갈 예정“이라고도 강조했다.

삼성전자는 1Tb TLC 9세대 V낸드에 이어 QLC 낸드 개발에 집중하고 있다. 올해 하반기에는 QLC 기반 9세대 낸드를 양산할 계획이다. QLC는 한 개의 저장 공간 안에 네 개의 비트(0또는 1)를 저장할 수 있는 장치다. 1~3개 비트를 저장할 수 있는 방식보다 동일 면적 대비 많은 데이터를 저장할 수 있고 데이터를 바깥으로 빼내는 속도 역시 빠르다.