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‘새로운 도약, 새로운 미래’라는 주제로 열린 이 날 준공식 행사에는 리샤오민(李小敏) 우시시 서기, 궈위엔창(郭元强) 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객 및 협력사 대표 등 약 500명이 참석했다.
SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년 생산라인을 완공해 D램 생산을 시작했다. 당시 건설된 C2는 SK하이닉스의 첫 300mm 팹(FAB)으로 현재까지 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 담당해 왔다. 하지만 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해졌다. 이에 SK하이닉스는 2017년 6월부터 이달까지 총 9500억 원을 투입해 추가로 반도체 생산공간을 확보했다.
이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만 8000㎡(약 1만 7500평, 길이 316m·폭 180m·높이 51m)의 단층 팹으로 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. SK하이닉스는 C2F의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다. 향후 추가적인 클린룸 공사 및 장비입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정이다.
SK하이닉스는 D램 시장 점유율 30%를 넘기는 등 시장 확대와 함께 최첨단 하이앤드 제품의 비중도 계속 높여가고 있다. 삼성전자에 이어 2세대 10나노급(1y) D램을 올 2분기부터 양산하고 연내에 3세대 제품 개발을 마쳐 내년 양산을 목표로 하고 있다. 시장조사기관 IHS마킷에 따르면 지난해 4분기 기준 세계 D램 시장 점유율은 삼성전자(39.9%)에 이어 SK하이닉스(31.9%), 미국 마이크론(24.0%) 등 3강 구도를 유지했지만, SK하이닉스의 점유율은 20%대에서 30%대로 올라서며 사상 최고치를 경신했다. 또 D램에 치중된 사업 구조 개선을 위해 지난해 말부터 3D낸드 전용 생산시설인 청주 M15공장에서 4세대 72단 3D낸드를 양산하고 있다. 5세대 96단 4D낸드도 M15공장에서 조만간 생산할 계획이다.
강영수 SK하이닉스 우시팹담당 전무는 “C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다”며 “C2F는 기존 C2 공장과 ‘원 팹(One FAB)’으로 운영 함으로써 우시 팹의 생산·운영 효율을 극대화할 것”이라고 말했다.
