[이데일리 김대웅 기자] 무선통신 장비용 반도체 전문기업 RFHIC(218410)가 올 6월 미국 보스턴에서 열린 IEEE IMS 2019에서 미래 신소재로 기대하고 있는 질화갈륨 다이아몬드(GaN on Diamond) 웨이퍼 성능을 실현하고 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터 개발 완료를 공식화했다고 18일 밝혔다.
질화갈륨은 전 세계 반도체에서 제일 많이 사용되는 실리콘 소재보다 열전도율이 좋고 스위칭 속도가 빨라서 효율이 좋으며 전력소비량이 적다는 장점이 있다.
그동안 질화갈륨 효율을 극대화하기 위해 탄화규소(SiC) 기판이 많이 사용됐는데 RFHIC가 세계 최초로 상업용 다이아몬드 기판을 적용한 GaN on Diamond 트랜지스터를 개발 완료해 레이더, 기지국, 전기자동차, 의료장비, RF 에너지 등 높은 효율을 요구하는 여러 제품에 적용될 예정이다.
이번에 발표된 GaN on Diamond 트랜지스터는 기존 GaN on SiC 트랜지스터보다 열전도도는 4.5배, 전력밀도는 2배 이상 높으며, 단위 길이(mm)당 22.5W의 출력을 구현하여 세계 최고 기록을 달성했다.
조삼열 RFHIC 회장은 “내년부터 GaN on Diamond 트랜지스터를 대량 생산해 이를 5G 무선통신 및 방산분야, 더 나아가서 의료장비, RF에너지 시장에도 적용해 RF 마이크로웨이브 세계 최고 회사가 되도록 할 것”이라고 밝혔다.
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