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SK하이닉스 기술진은 MCR DIMM에 탑재한 데이터 버퍼(Buffer)를 사용해 D램 모듈의 기본 동작 단위인 랭크 2개가 동시 작동하도록 설계했다. 버퍼는 D램 모듈 위에 같이 탑재돼 D램과 중앙처리장치(CPU) 사이의 신호 전달 성능을 최적화하는 부품으로, 고성능과 안정성이 요구되는 서버용 D램 모듈에 주로 탑재된다.
MCR DIMM에서는 2개의 랭크가 동시 동작해 128바이트가 CPU에 전송된다. 1개의 랭크에서 한번에 64바이트(Byte)의 데이터가 CPU에 전송되는 보통의 D램 모듈보다 빨라진 것으로, D램 단품보다 2배 가까이 빠른, 8Gbps 이상의 속도를 구현했다.
SK하이닉스는 이번 제품 개발을 성공시킨 데 미국 인텔, 일본 르네사스와의 글로벌 협업이 주효했다고 강조했다. 이들은 제품이 나오고 세계 최고 속도와 성능이 검증되기까지 긴밀하게 협업해 왔다.
류성수 SK하이닉스 부사장(DRAM상품기획담당)은 “당사의 모듈 설계 역량에 인텔의 서버 CPU와 르네사스의 버퍼 기술력이 융합되면서 이번 제품 개발이 가능했다”며 “실제로 MCR DIMM이 안정적으로 성능을 내려면, 모듈 내외에서 함께 동작하는 데이터 버퍼와 서버 CPU간의 상호작용이 매우 중요하다”고 말했다.
SK하이닉스는 향후 고성능 컴퓨팅 시장에서 MCR DIMM의 수요가 크게 늘어날 것으로 보고 있다. 회사는 고객 수요가 본격화화는 시점에 맞춰 이 제품을 양산할 계획이다.