삼성·SK, 차세대 AI 메모리 경쟁…R&D 투자 나란히 확대

by김소연 기자
2026.05.15 17:39:47

[이데일리 김소연 기자] 올해 1분기 삼성전자와 SK하이닉스는 연구개발(R&D) 비용과 시설 투자를 나란히 확대했다. 두 회사는 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 선점을 위해 연구개발과 시설 인프라 투자에 속도를 내고 있다. 특히 AI 반도체 수요가 급증하는 가운데, 첨단 공정 전환과 생산능력 확대를 위한 투자에 집중하며 미래 주도권을 선점하기 위한 치열한 경쟁이 이어지고 있는 셈이다.

15일 각사가 공시한 분기보고서에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 연구개발비용으로 11조3374억원을 집행했다. 지난해 1분기 9조348억원보다 25.5% 증가한 수준이다. 지난 1분기 세웠던 역대 최대 R&D 비용을 또 넘어선 최대 규모다.

반도체 클린룸(사진=삼성전자)

시설 인프라 투자도 이어갔다. 1분기 삼성전자 시설투자액은 총 11조2332억원으로 집계됐다. 지난해 1분기(11조 9983억원)보다 소폭 줄었다. 시설 투자에서는 반도체 사업부문(DS) 투자가 대부분을 차지했다. DS 부문 투자액은 10조1927억원으로 집계됐다. 첨단공정 증설·전환과 인프라 투자가 중점적으로 이루어졌다.

삼성전자는 “메모리 차세대 기술 경쟁력 강화 및 중장기 수요 대비를 위한 투자를 지속 추진했다”며 “시스템 반도체는 선단(Advanced) 노드 생산능력(CAPA) 확보를 위한 투자도 진행 중”이라고 설명했다. 아울러 내실을 다지는 활동을 통해 투자 효율성 제고에도 집중한다는 설명이다.



삼성전자는 1분기 주요 R&D 결과로 △최선단 공정 1c D램 및 4나노 베이스를 적용한 업계 최고 성능의 고대역폭메모리(HBM4) 양산 출하 △PCIe 6.0 기반의 고성능 서버용 SSD PM1763 개발 △갤럭시 S26·S26+·S26울트라 출시 등을 거론했다.

SK하이닉스도 마찬가지로 투자를 대폭 확대했다. SK하이닉스의 올해 1분기 R&D 연구개발 비용은 2조5504억원으로 집계됐다. 지난해 1분기(1조 5440억원)와 비교하면 무려 65.18% 늘어난 수준이다. 매출액 대비 연구개발비가 차지하는 비율은 4.9%로 나타났다.

SK하이닉스의 1분기 시설투자액은 전년 동기(5조8840억원) 대비 크게 늘어난 7조3480억원이었다. SK하이닉스는 반도체 기계 장비 등 자산에 투자하며 생산 능력 증가를 꾀하고 있다고 했다.

SK하이닉스의 연구개발 실적으로 1c 나노 기반 모바일용D램인 LPDDR6와 1c나노 기반 서버용 D램인 16Gb DDR5 등을 언급했다. 1c 나노 기반 LPDDR6는 세계 첫 제품으로 10.7Gbps 동작속도를 구현한다. 아울러 미주 CSP향 토탈액체냉각시스템(DLC)을 적용한 데이터센터용 PCIe Gen5 SSD 제품을 개발 완료했다.