"CXMT, 2028년 D램 절반 자급"…삼전닉스 독점 흔들릴까
by김정유 기자
2026.08.25 17:30:53
골드만 "中, 2035년 첨단 칩 부족 34%로 줄어"
SMIC의 공격적 설비 증설과 수율 개선 견인할 듯
"CXMT, HBM 수요의 40%를 충족할 것" 전망도
[이데일리 김정유 기자] 중국 파운드리 업체들이 빠르게 생산을 확대함에 따라 향후 10년간 첨단 반도체 부족 현상이 대폭 완화될 것이란 예측이 나왔다. 최근 기업공개(IPO)를 한 창신메모리(CXMT)도 2년내 중국 D램 수요의 50%를 자급할 수 있을 것이란 전망이다.
| | 중국 창신메모리(CXMT) 본사 앞 전경. (사진=바이두 화면 갈무리) |
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24일(현지시간) 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 미 투자은행 골드만삭스 보고서를 인용하며 7나노미터(nm) 이하 공정으로 제조되는 중국내 웨이퍼 공급량이 오는 2035년까지 연평균 46% 늘어날 것으로 추정된다고 보도했다. 이 같은 수치는 중국내에서 예상했던 수요 성장률 17%를 크게 웃도는 수준이다.
이에 따라 골드만삭스는 중국내 첨단 반도체 수요대비 공급 부족 비율이 2025년 92%에서 오는 2035년 34%까지 줄어들 것으로 전망했다. 오는 2035년 기준 예상되는 수요는 월 61만 9000장 수준인데, 같은 해 중국의 첨단 공정 웨이퍼 공급량은 월 41만장까지 올라올 것으로 예측한 데 따른 것이다.
이같은 공급 확대는 중국 최대 파운드리 업체 SMIC의 공격적인 설비 증설과 수율 개선이 견인할 것으로 예상된다. 골드만삭스의 예측 모델에 따르면 SMIC는 올해부터 오는 2031년까지 매년 월 3만~5만장 규모의 첨단 공정 웨이퍼 생산 능력을 추가하고, 2035년까지는 매년 월 2만 장씩 추가할 것으로 예상됐다. 수율도 올해 23%에서 2030년 50%, 2035년에는 75%까지 상승할 것으로 추산된다.
앞서 2018년부터 7나노 반도체 양산을 시작한 세계 1위 파운드리 업체 대만 TSMC의 수율은 칩 설계 등에 따라 90%를 넘어서기도 한다. 이후 미국의 수출 통제에도 불구하고, SMIC는 2023년 화웨이용 7나노 칩을 생산하는데 성공했다. 중국 정부는 첨단 공정뿐만 아니라 레거시(성숙) 공정 설비 확장도 지속적으로 지원 중이다.
최근 IPO로 대규모 자금을 확보한 CXMT의 경우엔 2028년이면 중국 D램 수요의 50%, 고대역폭메모리(HBM) 수요의 40%를 충족할 수 있을 것으로 골드만삭스는 분석했다. 삼성전자(005930)·SK하이닉스(000660) 등을 무섭게 추격하는 모양새다. 다만 골드만삭스는 CXMT가 삼성전자·SK하이닉스 등과는 여전히 2~3세대 정도의 기술격차가 난다고 보고 있다.
골드만삭스에 따르면 중국 반도체 자급률(생산량 기준)은 2010년 1월 38%에서 올해 6월 기준 약 70%까지 상승했다. 이같은 중국내 설비 확장은 현지 반도체 투자 바람을 다시 일으킬 전망이다. 골드만삭스는 중국의 반도체 설비투자가 2030년까지 매년 두 자릿수 성장률을 기록할 것으로 보고 있다.
중국내 반도체 투자 열풍은 자국 장비 업체들에게도 큰 시장을 열어주고 있다. 골드만삭스는 중국 웨이퍼 장비 시장 규모가 내년 530억 달러에 달할 것이며, 자국 장비 점유율도 지난해 26%에서 2028년 38%로 상승할 것으로 내다봤다.
하지만 약점도 있다. 노광장비의 경우 여전히 중국내 장비 생태계에서 약한 고리로 꼽힌다. 중국은 심자외선(DUV) 노광장비의 대부분을 네덜란드 ASML에 의존하고 있다. 일부 모델은 미국의 규제로 수출이 제한돼 있고, 첨단 장비 중 하나인 극자외선 노광장비 도입은 전면 차단된 상황이다.
중국산 첨단 노광장비 개발의 희망으로 꼽히는 국영기업 상하이마이크로일렉트로닉스(SMEE)도 아직까지는 글로벌 기업들과의 기술 격차를 줄이지 못하고 있단 분석이 나온다.