최우진 SK하이닉스 부사장 "HBM선도, 꾸준한 기술력 준비 덕"

by김소연 기자
2024.11.19 09:52:00

[이데일리 김소연 기자] 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력 향상을 이루어낸 공로로 동탑산업훈장을 수상한 최우진 SK하이닉스(000660) 부사장은 “SK하이닉스가 HBM을 통해 인공지능(AI) 메모리 시장을 선도할 수 있었던 것은 꾸준한 기술력 준비”라며 HBM 개발 및 양산 과정에서 가장 중요한 것으로 타임투마켓(TTM)을 꼽았다.

SK하이닉스 최우진 부사장. (사진=SK하이닉스)

최 부사장은 19일 SK하이닉스 뉴스룸을 통해 “시장 상황에 기민하게 대처할 수 있는 기술을 준비해야 한다”고 강조했다.

P&T(Package & Test)담당 최 부사장은 반도체 패키징 분야 기술 혁신을 통해 HBM 경쟁력 향상을 이루어낸 공로로 동탑산업훈장을 수상했다. 최 부사장이 이끄는 P&T 조직은 반도체 생산공정 중 후(後)공정에 해당하는 패키징(Packaging)과 테스트(Test)를 담당한다. 이는 팹(Fab)에서 전(前)공정을 마친 웨이퍼를 고객이 사용할 수 있는 제품 형태로 패키징하고, 고객이 요구하는 수준에 적합한 품질인지 테스트해 신뢰성까지 확보하는 역할이다.

SK하이닉스의 TSV(수직관통전극), MR-MUF 등 압도적 패키징 기술력은 HBM 경쟁력의 핵심이라는 평가다. MR-MUF는 적층한 칩 사이에 보호재를 넣은 후 전체를 한 번에 굳히는 공정으로, 기존 방식과 비교해 방열 성능 향상과 휨 현상 제어를 강화하는 기술이다.



최 부사장은 지난 2019년 HBM 3세대 제품인 HBM2E 패키지에 최초로 MR-MUF 기술을 도입해 열과 압력으로 인한 품질 문제를 개선했으며, 수율을 개선하고 생산량을 끌어올림으로써 시장의 판도를 바꿨다. 그는 MR-MUF 기술을 고도화한 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 기술을 개발해 4세대 HBM3 12단과 5세대 HBM3E 개발 및 양산까지 성공으로 이끌었다.

최 부사장은 2023년부터 다운턴 TF(Task Force) 조직에 합류해, 수익성이 높은 프리미엄 제품군의 생산을 확대하고 원가 절감을 위해 운영 방식 전환을 추진, 공정 효율을 개선했다. SK하이닉스는 지난해 4분기 다운턴 이후 메모리 업계 최초로 흑자 전환(Turn Around)에 성공했다.

지난해부터 AI 메모리 수요가 갑작스럽게 늘어나면서 기존 대비 배 이상의 추가 물량 공급이 필요한 상황이 닥쳤다. 예정된 투자는 모두 완료된 상태였다. 이에 최 부사장은 공정 간 생산을 연계해 조정, 추가 투자 없이 제품을 증산하는 데 성공했다. 이는 SK하이닉스가 AI 메모리 시장에서 주도권을 가져가는데 결정적인 역할을 했다.

최 부사장은 구성원들에게 ‘도전정신’을 강조했다. 그는 “패키징 기술 고도화, 어드밴스드 패키징 기술 개발 등 연구개발(R&D) 역량과 품질 경쟁력, 생산 역량을 높이는 것까지 P&T 조직에 주어진 미션이 많다”며 “생산성 향상과 기술 혁신 후에 발생하는 변곡점을 항상 염두에 두고 마지막까지 품질 향상에 대해 깊이 고민하길 바란다”고 당부했다. 최 부사장은 “HBM을 통해 증명한 저력처럼 ‘기술’과 ‘품질’이라는 기본을 잊지 않고, 도전 정신을 발휘하면 위기가 닥쳐와도 이를 또 다른 기회로 만들 수 있을 것”이라고 말했다.