삼성전자, 세계 첫 `3세대 10나노급 D램` 개발..美업체와 기술격차 2년↑

by양희동 기자
2019.03.21 11:00:00

삼성전자가 세계 최초로 개발한 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4. (사진=삼성전자)

[이데일리 양희동 기자] 삼성전자(005930)가 세계 최초로 ‘3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다.

D램 시장 2위인 SK하이닉스(000660)보다 1년 이상 빠른 속도로 메모리 분야 초(超)격차를 또 한번 이어가게 됐다. 삼성전자는 올 하반기 평택 반도체 공장에서 3세대 D램 제품을 양산할 예정이다. 업계에선 올 3분기께 미국 인텔의 차세대 CPU(중앙처리장치) 출시와 맞물려 향후 3세대 D램의 수요 확대를 예상하고 있다.

삼성전자는 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한 지 16개월 만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다. 본격적인 양산은 올 하반기부터 평택 반도체 공장을 통해 이뤄질 전망이다.

이 제품은 1대 당 2000억원에 달하는 초고가의 EUV(극자외선) 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상했다. 또 속도 증가로 전력효율도 개선했다.



시장조사기관 IHS마킷에 따르면 전 세계 D램 시장은 지난해 3분기 기준 삼성전자(43.4%)와 SK하이닉스(29.1%), 미국 마이크론(23.0%) 등 3개 회사가 95% 이상을 사실상 독점하고 있다. 그러나 미세공정에서는 삼성전자가 1년 이상의 격차를 벌이고 있다. 앞서 2세대 10나노급(1y) D램의 경우 삼성전자는 2017년 11월 양산에 들어갔지만 SK하이닉스는 지난해 11월 개발을 마치고 올 2분기 양산을 시작할 계획이다. 3위 업체인 마이크론은 2세대 제품의 개발 정도를 마친 것으로 파악된다. 삼성전자와의 기술 격차가 SK하이닉스는 1년여, 마이크론은 2년 이상 벌어진 상황이다.

삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램도 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료했다. 이를 통해 인텔의 차세대 CPU가 탑재될 PC 등을 통한 본격적인 수요 확대도 예상된다. 삼성전자는 올 하반기 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산한다. 또 내년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5 및 LPDDR5 등)을 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다. 아울러 전 세계 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 예정이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실 부사장은 “미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다”며 “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나가겠다”고 강조했다.

한편 삼성전자는 현재 전 세계 IT(정보기술) 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 반도체 공장 2층에 있는 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있다. 내년 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축, 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 계획이다.