by조태현 기자
2010.12.23 14:58:34
권오철 사장 "당초 예정대로 문제없이 개발 완료"
"D램 가격 하락으로 4Q 실적 악화 불가피..우려보단 좋을 것"
"내년 시설투자 올해와 비슷한 수준 계획"
[이데일리 조태현 기자] 하이닉스반도체(000660)가 30나노급 D램 공정 개발을 마무리했다. 이에 따라 오는 2011년 1분기부터 본격적인 양산에 돌입할 예정이다.
권오철 하이닉스 사장은 23일 서울 인터콘티넨탈 호텔에서 열린 반도체펀드 조성 협약식 참석 전 기자들과 만나 "30나노급 D램 공정을 계획보다 늦지 않게 완료했다"라며 "조만간 양산에 돌입할 계획"이라고 말했다.
하이닉스는 올해 초부터 30나노 D램 공정을 연말까지 개발하고 2011년에는 양산에 돌입할 것이라고 밝혀왔다.
최근 D램 값 하락에 대해서 권 사장은 "예상보다 D램 가격이 큰 폭으로 떨어졌다"라며 "오는 2011년 상반기에는 저점을 기록하고 이후 반등이 기대된다"고 설명했다.
다만 D램 가격이 지금처럼 큰 폭으로 하락할 가능성은 작다고 진단했다. 권 사장은 "현재 D램 값은 일부 경쟁사의 제조원가보다 낮은 상황"이라며 "이미 원가 이하의 가격이라 더는 크게 하락하지는 않을 것"이라고 전망했다.
이에 따라 하이닉스의 4분기 실적은 1조원 이상의 영업이익을 달성했던 3분기 실적에 비해 악화될 가능성이 큰 것으로 보인다.
권 사장은 "D램 가격 하락에 따라 4분기 실적은 전분기에 비해 악화될 것"이라며 "하지만 (시장의 우려 만큼) 몹시 나쁘지는 않을 것"이라고 말했다.
이어 2011년 1분기 실적 전망에 대해 "가격 흐름을 조금 더 두고 봐야 알 것"이라며 "1분기에도 기대 이상의 실적을 달성하기 위해 노력하겠다"라고 강조했다.
내년 투자는 올해와 비슷한 수준이 될 전망이다. 권 사장은 "아직 내년 경영계획을 확정하지는 못했다"라면서도 "내년 투자는 올해와 비슷한 수준에서 시황에 따라 결정할 예정"이라고 설명했다.
하이닉스는 올해 반도체 시설 투자에 총 3조3800억원을 투입했다.