by류의성 기자
2011.01.19 14:50:46
커먼플랫폼테크포럼서 밝혀
내년 하반기엔 시험생산..시스템LSI 라인 추가 건설 관측 제기
[이데일리 류의성 기자] 삼성전자(005930)는 오는 2013년 1분기 20나노 차세대 공정을 적용한 시스템LSI를 양산한다.
시스템LSI는 메모리반도체와 달리 대량의 정보를 연산 처리하고 데이터를 보존하는 기능을 하나의 칩에 집적한 반도체다.
삼성전자는 현지 시간 18일 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 커먼 플랫폼 테크포럼에서 이같이 밝혔다.
커먼 플랫폼 테크포럼은 삼성전자와 IBM, 글로벌 파운드리업체들이 참여 중인 차세대 반도체 기술 포럼. 삼성은 IBM와 공동으로 20나노 및 20나노 이하의 시스템반도체 차세대 공정개발에 협력하기로 밝힌 바 있다.
삼성전자는 20나노 차세대 시스템반도체가 29나노 제품보다 속도가 30% 향상될 것이라고 밝혔다.
이달 말 디자인 키트를 제공하고, 시험 생산은 2012년 하반기에 할 계획이다. 2013년 1분기에는 양산에 들어간다는 목표다.
삼성전자 관계자는 "모바일 AP(어플리케이션 프로세서) 등이 각광을 받으면서 시스템LSI 시장에서 삼성의 영향력을 확대하기 위한 과정"이라고 말했다.
한편 포럼에 참석한 우남성 삼성전자 시스템LSI사업부 사장은 "제조분야에서 새로운 주도권을 확보하겠다"고 밝혀 주목된다. 우 사장은 이에 대해 추가적으로 밝히지는 않았다.
포럼에 참석한 업계 관계자들은 삼성전자가 시스템LSI 분야 경쟁력을 강화하려는 목적으로 생산라인을 추가로 짓는 것이 아니냐고 추측하고 있다. 스마트기기 등 IT제품간 융복합화로 시스템반도체 수요가 점차 커질 것에 대비한 전략이라는 것이다.
이와 관련, 삼성전자는 시스템LSI 생산라인으로 현재 기흥사업장에 5,6,7 라인과 S라인을 보유하고 있다.
작년에는 미국 텍사스에 있는 오스틴 공장에 36억달러(약 4조5000억원)을 투자해 시스템LSI 생산라인을 추가로 짓겠다고 밝힌 바 있다. 오스틴 공장은 오는 4월 전후로 가동에 들어간다.