by김상욱 기자
2009.07.21 11:26:32
삼성 세계최초 40나노 D램 양산 돌입
하이닉스도 4분기중 양산 계획..해외업체 격차벌려
제품·원가경쟁력 확보..시장지배력 확대 전망
[이데일리 김상욱기자] 삼성전자(005930)와 하이닉스(000660) 등 한국 D램업체들과 해외 경쟁자들간 기술격차가 점점 더 확대되고 있다.
해외경쟁자들이 아직 50나노급 공정을 시작하지도 못한 상황인 반면 삼성전자는 이달부터 40나노급 D램 양산을 시작한다. 하이닉스 역시 4분기중 양산을 계획하고 있다.
삼성·하이닉스 등 한국 D램업체들과 미국, 일본, 대만 등 해외업체들간 기술격차가 적어도 1년6개월 가량 벌어졌다는 평가가 가능한 상황이다.
D램업계에서는 지루하게 이어져온 치킨게임의 승자가 한국업체로 굳어졌다는 평가도 나오고 있다.
삼성전자는 이날 세계에서 처음으로 40나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품 양산을 시작한다고 밝혔다. 지난 1월 세계 최초로 개발한 40나노급 공정 D램의 본격적인 생산이 시작되는 셈이다.
40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 현재 양산중인 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60%가량 향상됐다. 이는 같은 생산공정에서 나오는 칩의 갯수가 그만큼 많아진다는 의미다.
삼성전자는 여기에 생산공정 단순화, 생산기간 단축 등을 통해 효율을 더욱 높였다고 설명했다.
삼성전자에 이어 D램업계 2위인 하이닉스반도체 역시 4분기초 40나노급 2기가비트 DDR3 양산을 시작할 계획이다. 연말이면 삼성과 하이닉스 모두 40나노급 DDR3 D램 양산을 시작하게 된다.
특히 DDR3 제품은 기존 제품에 비해 저전력과 빠른 데이터 처리속도를 가지고 있어 최근 수요가 확대되고 있다.
반도체 시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR3 D램은 비트(Bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%까지 급격하게 늘어날 것으로 예상되고 있다.
2기가비트 D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 크게 성장할 것으로 전망된다.
이같은 시장의 흐름을 감안하면 향후 D램시장에서 삼성과 하이닉스의 시장지배력이 더욱 확대될 것이라는 전망이 가능한 상황이다.
이처럼 삼성전자와 하이닉스가 앞서 나가고 있는 반면 일본과 미국, 대만의 주요 D램업체들은 아직 60나노급에 머물러 있다.
50나노급 공정을 적용하고 있는 기업들은 아직 없다. 삼성전자와 하이닉스를 제외하곤 DDR3 제품을 생산하고 있는 업체는 마이크론 정도다.
일반적으로 60나노급 공정보다 50나노급 공정의 생산성은 약 40%가량 향상되는 것으로 분석되고 있다.
삼성과 하이닉스가 양산을 시작하는 40나노급 제품은 50나노급에 비해 60%가량 생산성이 높다. 40나노급 공정의 경우 60나노급 공정과 비교해 두배가량 생산효율이 높아진다는 추론이 가능하다.
또 미세공정 전환과 안정화에는 대략 1년 정도의 시간이 필요하다. 이를 감안하면 삼성전자와 하이닉스는 해외 경쟁업체들에 비해 적어도 1년6개월 정도 앞선 기술력을 가진 것으로 평가되고 있다. 그만큼 원가경쟁력이 높다는 의미다.
D램시장이 여전히 본격적인 회복세를 보이지 못하고 있는 만큼 원가를 낮추지 못할 경우 실적개선을 기대하기는 불가능한 상황이다. 이는 기술력 부족과 함께 해외업체들이 공격적으로 미세공정 전환에 나서지 못하는 이유이기도 하다.
D램 업계 고위관계자는 "지금 일본이나 대만업체들의 상황을 보면 시간이 지날 수록 국내업체들과의 경쟁력 격차는 점점 더 확대될 가능성이 높다"고 진단했다.