by서영지 기자
2011.01.04 11:00:00
DDR3 D램보다 2배 빨라진 속도..전력소비량은 절반으로
1.2V로 동작 구현..2012년 이후 양산 예정
[이데일리 서영지 기자] 삼성전자(005930)가 지난해 12월 세계 최초로 차세대 고성능 DDR4 D램을 개발했다고 4일 밝혔다.
DDR4 D램은 최근 D램 시장의 주력으로 부상한 DDR3 D램과 비교해 속도가 2배가량 빠르고 동작전압이 낮다고 삼성전자는 설명했다.
삼성전자는 30나노급 D램으로 데스크톱용 2GB(기가바이트) UDIMM(일반 데스크톱용 메모리 모듈) 제품을 공개했다.
삼성전자측은 "무엇보다 중요한 것은 서버업체들과 협력해 올해 하반기까지 DDR4 D램 관련 기술의 JEDEC(국제 반도체공학 표준 협의기구) 표준화를 완료하는 것"이라고 밝혔다.
이번에 개발한 DDR4 D램은 1.2V(볼트)에서 동작하며, 데이터 전송속도는 2.1Gbps(1초에 2.1기가비트 전송)로 구현된다는 게 회사 측 설명이다.
DDR4 UDIMM은 3.2Gbps까지 동작할 수 있다. CPU(중앙처리장치)와 데이터를 주고받는 속도는 1초에 최고 25.6GB 용량의 데이터를 전송하는 정도. 1초에 5MB(메가바이트) 크기의 음악파일 12만8000곡을 전송할 수 있다는 설명이다.
특히 DDR3 D램은 1.35V 또는 1.5V로 동작하는 데 비해 DDR4 D램은 1.2V로 동작한다.
그뿐만 아니라 초고속 그래픽 D램에 적용된 저전력 기술을 적용해 데이터를 읽고 쓰는 데 소비되는 전력량을 반으로 줄였다고 삼성전자는 설명했다.
DDR4 D램을 PC에 탑재하면 같은 30나노급 1.5V DDR3 D램보다 성능은 두 배로 높아지면서도 소비전력은 약 40% 낮출 수 있다는 설명이다.