by류의성 기자
2009.03.10 11:01:00
40나노급 8기가 플렉스원낸드 출시
이달 양산 예정..모바일 및 컨슈머칩셋社와 협력 강화
원낸드 제품도 40나노급 공정 적용
[이데일리 류의성기자] 삼성전자(005930)는 업계 최초로 퓨전메모리 제품에 40나노급 공정을 적용한 `8기가 플렉스 원낸드(Flex-OneNANDTM)`를 개발했다고 10일 밝혔다.
삼성전자에 따르면 이 제품은 기존 60나노급 4기가 플렉스 원낸드보다 생산성이 약 2.8배 향상됐다.
8기가 플렉스 원낸드 특징 중 하나는 휴대폰업체가 고용량의 저장장치를 갖춘 제품을 개발할 때 별도의 소프트웨어가 필요없다는 점.
즉 대용량·고성능·저소비전력 등 고효율 동작을 요구하는 하이엔드 휴대폰에 적합한 소프트웨어 솔루션을 제공한다.
삼성전자는 8기가 플렉스 원낸드의 소프트웨어 솔루션은 휴대폰업체에서 SLC(싱글레벨셀) 및 MLC(멀티레벨셀) 용량을 자유자재로 디자인할 수 있다고 설명했다.
즉, 프로그램을 지원하는 코드용 SLC 플래시와 동영상 등 데이터 저장용 MLC 플래시를 하나의 칩으로 구현할 수 있고, 내장 타입의 확장 스토리지인 Movi-NANDTM도 콘트롤할 수 있다.
삼성전자는 올해 스마트폰은 32기가바이트 용량의 메모리가 내장될 것으로 보이며, 8기가 플렉스 원낸드를 탑재하면 별도의 소프트웨어 개발이 필요없이 사용할 수 있다고 설명했다.
또 8기가 플렉스 원낸드는 그 자체로 약 1기가바이트의 MLC 낸드 용량을 갖추고 있고, MLC 낸드 플래시보다 4배 이상 읽기 성능을 구현할 수 있다.
삼성전자는 이달 8기가 플렉스 원낸드를 양산할 예정이다.
회사 측은 8기가 플렉스 원낸드 응용처를 대용량 하이엔드 휴대폰은 물론 풀HDTV, 콘텐트 TV, 디지털 액자, 디지털카메라 등으로 수요를 확대할 것이라고 밝혔다.
고객의 요구에 신속히 대응하고 세트업체의 개발 편의성을 높이기 위해 모바일 칩셋 및 컨슈머 칩셋 업체와 협력을 강화할 계획이다.
이와 함께 올해 원낸드(OneNANDTM)제품도 40나노급 공정을 적용해 1기가· 2기가· 4기가 제품을 양산할 방침이다.
회사 관계자는 "타사 대비 1~2세대 앞선 제품 경쟁력 우위를 유지하고, 퓨전 메모리 사업화 역량을 강화해 고용량 카드 시장을 견인해 나갈 것"이라고 말했다.
한편 플렉스 원낸드란 초고속 SLC 낸드와 기가급 고용량 MLC 낸드의 특성을 통합시킨 차세대 모바일 솔루션 제품을 말한다.
현재 하이엔드 휴대폰에서는 전원이 켜질 때 프로그램을 지원하는 코드용 SLC 플래시와 사진 및 동영상 등 데이터 저장용 MLC 플래시가 별도로 사용되고 있다.