by김상욱 기자
2008.03.28 10:48:50
"D램 기술격차 올해안에 완전히 해소"
"D램 하반기 공급과잉 완화, 낸드플래시 수급균형"
[이데일리 김상욱기자] 김종갑 하이닉스반도체(000660) 사장은 28일 "올해 D램분야에서 선두와의 기술격차를 완전히 해소하겠다"라고 밝혔다.
현재 D램업계 1위인 삼성전자를 따라잡겠다는 설명이다.
김종갑 사장은 이날 경기도 이천에서 열린 주주총회에서 "올해 D램부문의 기술격차를 완전히 해소하고 일정부분은 업계의 최선두에 나서겠다"고 강조했다.
이어 "낸드플래시 역시 우리의 계획대로 이행된다면 내년에는 격차가 아주 좁혀질 것으로 보고 있다"고 밝혔다.
이와관련 하이닉스는 현재 3분기중 54나노 D램 양산을 준비하고 있으며, 낸드플래시 역시 2분기중 48나노 제품 양산을 계획하고 있다. 삼성전자는 오는 2분기중 56나노 D램 양산을 예정하고 있다.
김 사장은 특히 "모바일 D램의 경우 작년말 개발된 1기가 제품에 대한 고객들의 호응이 좋다"며 "올해 하이닉스 전체 매출에서 모바일 D램의 비중을 3%에서 9%로 높이겠다"고 말했다.
반도체시황과 관련해선 "D램의 경우 하반기부터 공급과잉이 완화될 것으로 보고 있으며 낸드플래시 역시 수급이 균형을 이룰 것으로 보고 있다"고 밝혔다.
이어 "판매가격은 D램의 경우 2분기 저점이후 3분기 가격반등이 예상되고 있다"며 "낸드플래시는 아직 전망이 엇갈리고 있는 상황"이라고 덧붙였다.
김 사장은 "상반기는 어려움이 지속될 것으로 보이는 만큼 모니터링을 강화하고 위기대응능력을 키우겠다"라고 강조했다.
그는 "올해는 무엇보다 수익성 1위를 탈환하겠다"라며 "미래를 위한 연구개발을 강화하는 한편 고객 마케팅도 확대해 나갈 것"이라고 말했다.