by류의성 기자
2011.01.06 09:59:05
작년 수준 투자..차세대 미세공정 집중
D램 및 낸드플래시 경쟁력 강화 주력..상황에 따라 투자 확대 시사
[이데일리 류의성 서영지 기자] 하이닉스(000660)가 올해 시설 투자에 3조4000억원을 투자하기로 결정했다. 작년과 유사한 수준이다.
D램과 낸드플래시 차세대 미세공정 전환에 박차를 가하고, R&D 투자와 시설보수 등에 투자해 기술 경쟁력을 높인다는 계획이다.
올해도 시장 상황에 따라 투자를 늘리겠다는 것이 기본 방침이다. 회사 측은 D램 비중이 높아 D램에 더 많이 투자하겠지만 낸드플래시 경쟁력을 갖추는데도 집중할 것이라고 밝혔다.
업계에서는 하이닉스가 D램에 대략 2조원 이상, 낸드플래시에 1조원을 투자할 것으로 전망하고 있다.
이와 관련, 하이닉스는 반도체 시설투자 등을 위해 지난 2008년 2조4500억원, 2009년 1조원, 2010년 3조3800억원을 각각 투자했었다.
권오철 하이닉스 사장은 작년 말 기자들과 만나 "2011년 상반기 메모리 반도체 가격이 저점을 기록하고 반등할 것으로 보인다"며 "최소 3조원 이상을 투자하겠다"고 밝힌 바 있다. 2011년 투자 규모는 2010년 수준에서 -10%~+10% 선이 될 것임을 시사했었다.
반도체 시황이 약세를 보이고 있기 때문에 공격적인 투자보다는 시장 상황을 판단해서 투자규모를 신축적으로 가져가겠다는 뜻이었다.
작년의 경우 하이닉스는 당초 2조3000억원을 투자하기로 했다가 이후 반도체 호황과 삼성전자의 공격적 투자를 감안해 1조원 이상 투자금액을 확대했다.