by류의성 기자
2009.11.04 11:01:00
웨이퍼 칩 두께 15㎛이하 가공 기술 적용
모바일기기 등 대용량 메모리 탑재 가능
[이데일리 류의성기자] 삼성전자(005930)는 4일 세계 최초로 0.6mm 두께의 8단 낸드플래시 적층칩 개발에 성공했다고 밝혔다.
삼성전자가 선보인 이 적층칩은 750㎛ 두께인 12인치 웨이퍼 뒷면을 `15㎛ 두께`로 갈아 내고, 위로 쌓아 올린 것이다. 15㎛ 두께는 A4 용지 두께의 1/7 수준.
기존의 낸드플래시 적층 패키지는 칩 웨이퍼를 60㎛ 두께로 가공, 1mm를 구현했었다.
과거에는 칩의 웨이퍼 두께를 30㎛ 이하로 가공하면 칩의 강도를 유지하기 어려웠다. 또 칩의 적층 간격이 너무 좁아 안정적인 수율을 확보하기 어려웠었다.
삼성전자는 15㎛이하 가공 기술을 적용해 1mm 두께의 낸드플래시 적층칩을 구현할 경우 모바일기기나 SSD, 초슬림 메모리카드 등에 두 배 이상의 대용량 제품을 제조할 수 있다고 설명했다.
또 이번 기술 개발로 현재 50% 이상의 세계점유율을 확보하고 있는 모바일 메모리 복합칩 제품 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 수 있게 됐다고 밝혔다.
정태경 삼성전자 Test & Package센터 상무는 "0.6㎜ 8단 적층칩은 현재 대용량 적층칩 시장의 주력 제품 대비 두께는 물론 무게까지 절반 정도로 줄였다"고 말했다.
정 상무는 "대용량 메모리 탑재가 필수적인 모바일 기기 시장에 가장 적합한 솔루션으로 업계의 한계로 여겨져 온 1.0㎜ 이하의 적층칩 솔루션을 제공하게 됐다"고 강조했다.
한편, 반도체 시장조사업체인 아이서플라이에 따르면 세계 메모리 카드 시장은 2GB 용량 이상의 제품 수량이 2009년 3.1억 개에서 2012년 7.7억 개 규모로 크게 성장할 것으로 예상된다.