"미세공정 한계 뚫는다"…SK, 세계 첫 '6세대 D램' 개발

by김정남 기자
2024.08.29 09:28:11

[이데일리 김정남 기자] SK하이닉스가 세계 최초로 10나노 초반대 극미세화 메모리 공정 기술을 내놓았다. 이를 통해 DDR5 D램을 개발하는데 성공했고, 뒤이어 고대역폭메모리(HBM) 등 최첨단 D램 주력 제품군까지 적용한다는 방침이다.

SK하이닉스(000660)는 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는데 성공했다고 29일 밝혔다.

(사진=SK하이닉스 제공)

그 핵심은 10나노대에서 가장 초반이라고 평가 받는 1c 기술에 있다. 최근 10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌다. 이에 SK하이닉스는 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파했다. 1c 기술은 DDR5에 처음 적용해 내년부터 양산에 돌입할 계획이다. 이후 HBM4E, LPDDR6 등 첨단 D램 주력 제품군으로 확대 적용할 예정이다.



SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄일 수 있고, 업계 최고 수준의 1b 기술의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 SK하이닉스 기술진은 판단했다.

또 극자외선(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신까지 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상 시켰다고 회사 측은 전했다.

고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)다. 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 아울러 전력 효율은 9% 이상 개선했다. 인공지능(AI) 시대가 본격화하면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객사들이 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 회사 측은 전망했다.

김종환 SK하이닉스 D램 개발담당 부사장은 “최고 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 주력 제품군에 적용하면서 고객사에 차별화한 가치를 제공할 것”이라며 “앞으로도 D램 시장 리더십을 지킬 것”이라고 했다.