by류의성 기자
2010.12.07 11:00:00
세계 최초 3D-TSV D램 모듈 개발
32GB 이상 대용량 메모리 상용화 기반 확보
[이데일리 류의성 기자] 삼성전자(005930)가 차세대 패키징 기술을 적용해 두께와 소비전력을 줄인 8GB(기가바이트) DDR3 D램을 내놨다.
삼성전자는 7일 세계 최초로 3D-TSV(Through Silicon Via) 기술을 적용한 8GB DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다.
이 기술은 칩을 수직으로 적층해 관통 전극으로 연결한 최첨단 기법이다. 기존 와이어 본딩(칩을 와이어로 연결)방식보다 빠르게 동작하고 소비전력 40%을 줄일 수 있다.
삼성전자는 40나노급 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 3D-TSV 기술로 적층, 8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module) 제품으로 개발했다. 지난 10월 고객사 서버에 장착해 제품 성능 테스트를 완료했다.
이를 적용하면 기존 제품보다 2~4배 큰 메모리 용량을 구현할 수 있다. 서버에 적용하면 성능이 최소 50% 이상 향상된다는 것이 삼성전자 설명이다.
대용량 RDIMM의 경우 2Gb 칩을 와이어 본딩 방식으로 적층하면 서버 속도는 800Mbps다. 그러나 3D-TSV 방식으로 적층하면 동작속도는 1333Mbps로 70% 향상된다. 소비 전력은 40% 이상 낮출 수 있다.
삼성전자는 내년 이후 4Gb 이상 대용량 DDR3 D램에도 3D-TSV 기술을 적용해, 32GB 이상 대용량 서버용 메모리 제품을 확대해 나갈 예정이다.
또 서버 업체는 물론 CPU, 컨트롤러 업체들과의 협력을 강화해 3D-TSV 서버 모듈 제품의 시장 기반을 더욱 넓혀 나갈 계획이다.