by서영지 기자
2010.12.29 09:26:14
30나노급 2Gb DDR3 D램도 내년 1분기 양산 시작
[이데일리 서영지 기자] 하이닉스반도체(000660)는 29일 30나노급 기술을 적용해 고용량의 4Gb(기가비트) DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다.
또 30나노급 2Gb DDR3 D램에 대한 개발도 완료해 내년 1분기 양산에 들어간다.
30나노급 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 생산성이 70%가량 향상돼 원가경쟁력을 강화할 수 있다.
또 최대 2133Mbps(메가비트퍼세컨드, 1초당 100만 비트 전송)의 데이터 처리속도를 구현해 기존 1333Mbps 제품대비 처리속도가 60% 가량 빨라졌다.
2133Mbps의 데이터 전송속도는 16개의 정보 입출구(I/O)를 통해 영화 3~4편에 해당되는 4.2GB의 데이터를 1초내에 처리할 수 있는 속도다.