by민재용 기자
2011.05.02 08:43:52
"초미세 반도체칩 개발 경쟁에서 삼성 앞서"
[이데일리 민재용 기자] 일본 반도체 제조사 엘피다메모리가 회로 폭을 25 나노미터(10억분의 1m)로 줄인 디램(DRAM)을 개발하는 데 성공, 7월부터 히로시마 공장에서 생산할 계획이라고 니혼게이자이신문이 2일 보도했다. D램은 스마트폰과 태블릿 PC 등의 메모리 반도체로 주로 사용되고 있다.
엘피다는 이달부터 본격 양산에 들어간 30나노미터 D램 개발 경쟁에서는 삼성전자(005930)에 반년 늦었지만 25나노미터 D램 개발은 먼저 생산에 들어가 삼성을 앞서게 됐다.
신문은 지금까지 초미세 반도체칩 개발 경쟁에서는 삼성전자가 앞섰지만, 엘피다가 이를 뒤집었다고 평가했다.
25나노 D램은 30나노 D램보다 작아서 반도체 원판(웨이퍼)당 반도체 칩 생산량이 늘어나며, 이에 따라 생산효율이 약 30% 향상된다. D램은 최첨단 제품으로 1년에 수%씩 가격이 내려가기 때문에 개발 속도가 투자비 회수 여부에 직결되는 것으로 평가되고 있다.