by김상욱 기자
2008.11.18 11:03:00
D램 업계 최초..내년초 모듈 등 전 제품 인증 예상
칩 사이즈 축소, 생산효율 향상 및 전력절감 효과
[이데일리 김상욱기자] 삼성전자(005930)는 18일 50나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품이 업계에서 처음으로 인텔 인증을 획득했다고 밝혔다.
이번에 인증된 제품은 2기가비트(Gb) DDR3 D램 단품(x8) 및 PC용 4기가바이트(GB) UDIMM(Unbuffered DIMM) 모듈 제품이다.
또 서버용 8기가바이트(GB)/16기가바이트(GB) RDIMM 등 모듈 9종도 현재 평가가 진행중이다. 내년초에는 50나노 2기가비트(Gb) DDR3 모든 제품의 인증이 완료될 예정이다.
50나노급 2기가비트 DDR3는 지난 2007년 삼성전자가 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램 대비 약 1.6배 빠른 1.333Gbps(1333Mbps)의 속도를 구현한다. 칩의 크기도 작아져 생산효율이 기존대비 60% 이상 향상됐다.
또 1기가비트 DDR3 단품을 탑재한 모듈에 비해 D램 단품의 개수를 반으로 구성할 수 있어 40%이상 전력을 절감할 수 있다.
특히 기존 2기가비트 DDR2 D램 단품의 경우 칩 사이즈가 커서 패키지 적층(DDP: Double Die Package) 기술을 적용해야만 고용량 모듈 제작이 가능했다.
반면 2기가비트 DDR3 D램은 DDR2 D램 대비 크기가 적어 별도의 적층기술없이 8GB RDIMM, 4GB SODIMM/UDIMM 제품 양산이 가능하다. 고용량 메모리의 시장 확대를 위한 원가 경쟁력이 강화됐다는 설명이다.