by김상욱 기자
2008.06.03 09:01:32
세계최초 3중셀(X3) 기술 적용 32Gb 낸드 개발
기존 MLC제품대비 면적 30% 축소..원가절감 가능
휴대용기기 최적화..10월부터 양산돌입
[이데일리 김상욱기자] 하이닉스반도체(000660)는 3일 세계 최초로 3중셀(X3) 기술을 적용한 32기가비트 낸드플래시 메모리 개발에 성공했다고 밝혔다.
3중셀(3 bit per cell, X3)은 한 셀에 하나의 정보를 담는 SLC(Single Level Cell), 한 셀에 두 개의 정보를 담을 수 있는 기존의 MLC(Multi Level Cell)에 이어 하나의 셀에 세 개의 정보를 담을 수 있는 획기적인 기술이다.
이번에 개발된 3중셀 기반 제품은 기존 MLC 대비 칩 면적을 30% 이상 축소할 수 있어 원가절감이 가능하다.
하이닉스는 이 기술을 기반으로 16기가비트 양산 적용에 한정됐던 48나노 공정기술을 32기가비트 제품까지 확대 적용해 오는 10월부터 양산에 들어갈 예정이다.