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삼성전자의 HBM4는 이전 5세대 HBM3E에저 적용된 1024개의 데이터 전송 입출력단자(I/O) 핀보다 두배 많은 2048개의 I/O 핀 인터페이스를 적용한다. 삼성전자 HBM4의 동작 속도는 초당 11.7기가비트(Gbps)를 안정적으로 확보했다. 최대로는 13Gbps까지 구현할 수 있다.
삼성전자는 이를 바탕으로 단일 스택당 최대 초당 3.3테라바이트(TB)의 메모리 대역폭을 구현했다. 이는 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 수준이다. 이는 4기가바이트(GB) 용량의 영화 파일 750편을 1초 만에 전송할 수 있는 속도다. 이같은 성능은 대규모 인공지능(AI) 모델의 학습과 추론 과정에서 요구되는 방대한 데이터 처리 수요에 효과적으로 대응하도록 설계됐다.
삼성전자 HBM4는 코어 다이에 삼성전자의 10나노급 6세대(1c) D램 공정을 적용했다. 베이스 다이에는 4나노 로직 공정을 적용해 메모리와 파운드리의 기술 역량을 결합했다. 삼성전자 HBM4 라인업은 12단 적층 구조를 기반으로 24GB부터 36GB까지의 용량으로 구성되며, 향후 16단 적층 기술을 적용해 메모리 용량 증가 요구에도 대응할 계획이다.
HBM4의 아키텍처는 이전 세대 대비 전력 소모를 약 40% 줄여 AI 인프라의 에너지 부담을 크게 낮췄다. 열 저항 특성도 약 10% 개선됐으며, 방열 성능은 약 30% 강화됐다. 삼성전자 관계자는 “이를 통해 열 부하가 높은 AI 데이터센터 환경에서도 안정적인 성능을 유지할 수 있다”고 설명했다.

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