LPDDR6 확장 신호탄…삼성·SK 시장 선점 경쟁 본격화

[이데일리 김소연 기자] 저전력 D램인 LPDDR6 시장이 본격 개막했다. 빠르면 올해 하반기 상용화가 이뤄질 전망이다. 모바일과 엣지 디바이스를 넘어 일부 저전력 서버, 인공지능(AI) 가속기, 엣지 데이터센터 등으로 적용 범위가 확대되면서 고성능·저전력 D램 수요가 예상보다 빠르게 늘어나는 모양새다.

25일 업계에 따르면 지난 15~19일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 반도체 분야 3대 학회인 ISSCC 2026에서 삼성전자와 SK하이닉스는 각각 16Gb LPDDR6 D램을 공개했다. LPDDR6는 이전 세대 대비 약 1.5배 향상된 성능을 구현한 것이 특징이다.

삼성전자 LPDDR6 (사진=삼성전자)

삼성전자가 선보인 LPDDR6는 1.025V의 낮은 동작 전압에서도 초당 최대 14.4Gb의 데이터 전송 속도를 구현했다. 전력 효율과 성능을 동시에 확보했다. 코어 및 주변 회로는 초저전압(VDD2D·0.875V)에서 구동하도록 설계해 전력 효율을 높였다. 동일 대역폭 기준 LPDDR5 대비 읽기 전력은 27%, 쓰기 전력은 22% 줄였다.

SK하이닉스는 1c 나노 D램 공정 기반의 16Gb LPDDR6를 공개했다. 코어 로직 전압 1.025V, 코어 셀 전압 0.875V 조건에서 입출력 핀당 초당 14.4Gb의 데이터 전송 속도를 달성했다. 듀얼 서브채널 구조를 적용해 각 서브채널이 독립 제어 블록을 갖도록 설계한 점도 특징이다. 김영건 미래에셋증권 연구원은 “ISSCC 2026에서 SK하이닉스는 GDDR7과 LPDDR6의 세부 사양과 기술적 진보를 제시했다”고 설명했다.

양사가 LPDDR6에 이어 LPDDR6X 등 차세대 저전력 D램 개발에 속도를 내는 배경에는 AI 수요 확대가 있다. AI 모델 규모가 커지고 추론·학습 수요가 동반 증가하면서 고성능·저전력 메모리에 대한 요구도 빠르게 높아지고 있어서다. 그동안 모바일과 엣지 기기에 주로 쓰이던 저전력 D램의 용처가 AI 중심으로 확장되는 흐름이다.

SK하이닉스 부스에 전시된 LPDDR6(사진=연합뉴스)

특히 고대역폭메모리(HBM)만으로는 충족하기 어려운 메모리 용량을 보완하는 대안으로 LPDDR이 주목받고 있다. 업계 관계자는 “LPDDR이 AI 메모리의 한 축으로 자리 잡고 있다”며 “고성능 저전력 D램은 일반 D램보다 평균판매단가(ASP)도 높은 편”이라고 말했다. 업계는 LPDDR6 확산이 삼성전자와 SK하이닉스의 제품 믹스 개선과 AI 메모리 포트폴리오 다변화로 이어질 것으로 보고 있다.

엔비디아의 AI 가속기 ‘베라 루빈’에는 LPDDR5X 기반 소캠(SOCAMM)이 적용될 예정이다. HBM 외에 전력 효율이 높은 저전력 D램이 AI 가속기에 채택되기 시작하면서 향후 LPDDR6와 LPDDR6X로 확산될 가능성도 제기된다. 퀄컴 역시 차세대 모바일·AI 칩에서 LPDDR6 채택 가능성이 거론된다. 주요 기업들이 LPDDR6 선점 경쟁에 나서는 분위기다.

고성능컴퓨팅(HPC) 반도체 설계 기업들 역시 LPDDR5X와 LPDDR6 메모리 인터페이스 회로 설계 기술(IP)을 도입하거나 개발하는 단계다. 엔비디아 등 AI 반도체 기업의 수요 확대가 LPDDR 기반 설계 확산의 배경으로 꼽힌다. 첨단 칩 공정 설계 과정에서 데이터 병목을 해소할 높은 대역폭과 전력 효율이 요구된다. 이에 설계 기업들은 메모리 솔루션을 엔터프라이즈·데이터센터·AI 워크로드용 시스템온칩(SoC)에 통합하고 있다.