X

"AI는 이제 시작, 韓 반도체 절호의 기회"…삼성·SK 미래 기술 총출동

이 기사 AI가 핵심만 딱!
애니메이션 이미지
김소연 기자I 2026.10.14 17:41:13

Google 검색에서 이데일리 기사를 더 자주 볼 수 있습니다.

SEDEX 2026서 삼전·닉스 AI메모리 솔루션 대거 공개
송재혁 삼성 사장, 4F² D램 개발 언급…기술 경쟁 가속
안현 SK하닉 사장, HBM 넘어 '3D 스택 D램' 기술 제시
HBM4E 등 차세대 AI 메모리 전시에 관람객 발길 북적

[이데일리 김소연 최오현 기자] “인공지능(AI)는 이제 시작입니다. 대한민국에 절호의 찬스가 왔습니다.”

14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’은 AI 시대를 맞은 한국 반도체 산업의 기술 경쟁력을 확인하는 자리였다. 삼성전자와 SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 AI 반도체 기술을 대거 선보이며 미래 메모리 시장의 주도권 확보에 나섰다. 중국 창신메모리(CXMT)가 서버용 D램에 적용하겠다고 밝힌 차세대 D램 셀 구조인 ‘4F²(포에프스퀘어)’ 기술을 삼성전자도 개발 진행 중인 것으로 확인됐다.

14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 반도체대전(SEDEX) 2026 VIP투어에 동행한 안현 SK하이닉스 사장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)의 친필 서명이 담긴 고대역폭(HBM) 구조 모형을 소개하자 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장과 이준석 개혁신당 의원이 환하게 웃으며 함께 웨이퍼를 살펴보기도 했다. (사진=최오현 기자)
14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 반도체대전(SEDEX) 2026 VIP투어에 동행한 안현 SK하이닉스 사장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)의 친필 서명이 담긴 고대역폭(HBM) 구조 모형을 소개하자 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장과 이준석 개혁신당 의원이 환하게 웃으며 함께 웨이퍼를 살펴보기도 했다. (사진=최오현 기자)
이날 기조연설에 나선 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 “AI 확산을 통해 메모리가 한국 최고의 산업이라는 데 공감해주실 것”이라며 “인류가 경험하지 못한 속도로 AI 기술이 확산되고 있어 기술의 대중화 주기도 짧아지고 있다”고 강조했다.

삼전, 4F² 개발중…SK하닉, 3D 스택 D램 제시



현장에서는 HBM을 넘어 차세대 D램 기술을 확보하려는 국내 반도체 기업들의 움직임도 주목받았다. 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장은 이날 취재진이 ‘삼성전자도 4F² 기술을 개발하고 있느냐’고 묻자 “그렇다”고 답했다. 구체적인 개발 진행 상황에 대해서는 “열심히 합니다”라며 말을 아꼈다. SK하이닉스는 지난해 4F² 수직 게이트(VG) 플랫폼을 적용한 차세대 D램 개발 방향을 공개한 바 있다.

4F²는 D램 셀 하나가 차지하는 면적을 나타내는 단위로, 기존 6F² 구조보다 셀 면적을 약 3분의 1 줄일 수 있는 기술이다. 동일한 면적에 더 많은 셀을 집적할 수 있어 D램의 생산성과 원가 경쟁력을 높일 수 있는 차세대 기술로 꼽힌다.

14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)' 기조연설에서 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장이 발표하고 있다. (사진=이영훈 기자)
14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)' 기조연설에서 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장이 발표하고 있다. (사진=이영훈 기자)
SK하이닉스는 차세대 AI 메모리 기술의 방향성으로 ‘3D 스택 D램’을 제시했다. 안현 사장은 “현존하는 가장 빠른 메모리는 S램”이라며 “S램과 HBM 사이에 새로운 계층의 메모리가 개발돼야 한다”고 말했다.

3D 스택 D램은 D램을 수직으로 적층하고 실리콘관통전극(TSV) 등을 활용해 프로세서와 메모리 간 데이터 이동 효율을 높이는 차세대 기술이다. 안 사장은 고객 요구에 맞춰 설계하는 커스텀 HBM(맞춤형 HBM)의 비중도 장기적으로 확대될 것으로 전망했다.

14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(2026 SEDEX)’에서 관람객들이 삼성전자의 고대역폭메모리(HBM) 반도체 구조를 살펴보고 있다. (사진=이영훈 기자)
14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(2026 SEDEX)’에서 관람객들이 삼성전자의 고대역폭메모리(HBM) 반도체 구조를 살펴보고 있다. (사진=이영훈 기자)
각사 HBM4E 실물 공개…삼성 360조 용인 클러스터 청사진

전시장에서는 삼성전자와 SK하이닉스의 차세대 반도체 기술을 직접 확인하려는 관람객들의 발길이 이어졌다. 전국에서 찾아온 대학생과 고등학생들이 양사 부스를 빼곡히 메웠고, 기업 관계자들도 HBM을 비롯한 차세대 AI 메모리 제품을 유심히 살펴봤다.

삼성전자는 고대역폭메모리 7세대인 HBM4E 실물을 비롯해 zHBM·zNAND-O 목업 등 차세대 AI 반도체 기술과 솔루션을 총망라했다. 특히 메모리와 파운드리(반도체 위탁생산), 시스템LSI, 첨단 패키징을 아우르는 반도체 기술 역량을 강조했다.

아울러 약 360조원을 투자하는 용인 반도체 국가산업단지의 청사진도 전면에 내세웠다. 용인 반도체 클러스터의 주요 생산·연구개발 거점과 조성 계획을 소개하며 미래 반도체 역량을 강조했다. 삼성전자는 2027년 용인 반도체 산단 부지 조성, 2029년 10월 첫 생산라인 가동을 목표로 하고 있다.

SK하이닉스는 ‘멈추지 않고 나아가는 AI 여정’을 주제로, 전시 공간 전체를 하나의 육상 트랙 형태로 구성해 회사의 기술 비전, 글로벌 네트워크, 주요 제품 등을 살펴볼 수 있도록 했다.

SK하이닉스는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼인 ‘베라루빈’ 슈퍼칩을 전시했다. 중앙처리장치(CPU)인 베라에 소캠2가 탑재되고, 그래픽처리장치(GPU) 루빈에 HBM4 12단이 탑재된다. 베라루빈 슈퍼칩 앞에서 관람객들이 연신 스마트폰 카메라로 사진을 찍었다.

14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(2026 SEDEX)’에서 관람객들이 SK하이닉스의 메모리 반도체를 살펴보고 있다. SK하이닉스는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼인 '베라루빈' 슈퍼칩을 전시했다. 베라루빈에 소캠2와 HBM4 12단이 탑재된다. (사진=이영훈 기자)
14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(2026 SEDEX)’에서 관람객들이 SK하이닉스의 메모리 반도체를 살펴보고 있다. SK하이닉스는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼인 '베라루빈' 슈퍼칩을 전시했다. 베라루빈에 소캠2와 HBM4 12단이 탑재된다. (사진=이영훈 기자)


이 기사 AI가 핵심만 딱!
애니메이션 이미지

주요 뉴스

ⓒ종합 경제정보 미디어 이데일리 - 상업적 무단전재 & 재배포 금지