이 회장이 찾은 천안사업장은 삼성전자 HBM 후공정과 첨단 패키징을 담당하는 핵심 생산 거점이다. HBM은 D램 제조 역량뿐 아니라 실리콘관통전극(TSV) 적층과 패키징, 열 관리 등 후공정 기술력이 제품 경쟁력을 좌우한다. 천안사업장은 AI 반도체 시장 확대에 대응하기 위한 HBM 생산 역량의 중심 역할을 수행하고 있는 사업장이다.
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재계에서는 이번 방문을 현장 점검 이상의 의미로 보고 있다. AI 시대 반도체 경쟁의 핵심인 HBM 사업의 경쟁력 강화 의지를 재확인하는 행보라는 평가다. 연구개발과 제조 현장의 사기를 높이는 동시에 HBM 경쟁력 강화에 속도를 내겠다는 메시지를 던진 것으로 해석된다. 삼성전자 HBM 기술 경쟁력이 확보되고 시장 점유율을 확대하는 가운데, 이 회장이 직접 생산현장을 찾아 연구개발·제조 인력을 격려한 것이다.
앞서 지난해 12월 이 회장은 삼성전자가 기흥캠퍼스에 역대급 규모로 조성한 차세대 반도체 연구개발(R&D) 단지 ‘NRD-K’와 화성캠퍼스를 방문한 바 있다. 메모리, 시스템반도체 등 반도체 분야 핵심 연구기지를 찾아 R&D 현황을 점검했다. 당시 이 회장은 “과감한 혁신과 투자를 통해 본원적 기술 경쟁력을 회복하자”고 주문했다.
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이 회장은 빠른 속도로 경쟁력을 회복하고 있는 HBM 사업에 힘을 실어주기 위해 지난해 연말과 올해 연달아 반도체 사업장을 직접 찾은 것으로 보인다. 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 6세대 HBM4 양산 출하에 성공하며 차세대 HBM 시장 선점에 나섰다. 이어 5월에는 세계 최초로 7세대 제품인 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 AI 메모리 시장 공략에 속도를 내고 있다.
AI 확산에 따른 향후 메모리 시장 성장세도 가파르다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 글로벌 메모리 시장 규모는 지난해 360조원에서 올해 1500조원으로 확대된 뒤 내년에는 2100조원 규모까지 성장할 전망이다. 서버용 메모리 매출 비중이 지난해 37%에서 올해 56%, 내년에는 57%까지 확대될 것으로 예상된다. HBM과 DDR5 등 고성능 메모리가 시장 성장을 주도하면서 HBM은 삼성전자 반도체 사업 실적 효자 역할을 톡톡히 할 전망이다.
HBM 수요 확대에 힘 입어 삼성전자 역시 사업 성과 측면에서 의미있는 성장세를 보이고 있다. 업계에 따르면 지난 2월 양산 출하를 시작한 삼성전자 HBM4는 약 4개월 만에 누적 매출 10억달러(약 1조5380억원)를 돌파한 것으로 알려졌으며, 6월 말 기준 누적 매출은 12억 달러를 넘어설 것으로 관측된다.
삼성전자 HBM4는 코어 다이에 삼성전자의 10나노급 6세대(1c) D램 공정을 적용했다. 베이스 다이에는 4나노 로직 공정을 적용해 메모리와 파운드리의 기술 역량을 결합하며 삼성이 가진 ‘원스톱 솔루션’ 제조 경쟁력 강점을 활용하고 있다.
이 회장은 현장 방문에 더해 글로벌 빅테크 기업과도 활발하게 소통하며 AI, 반도체, 전장 등 신사업에서 전방위적으로 굵직한 성과를 내고 있다.
