'세계 최초' 삼성전자, 8세대 HBM5 목업 공개(상보)

[타이베이(대만)=이데일리 공지유 기자] 삼성전자가 아시아 최대 정보기술(IT) 전시회 ‘컴퓨텍스 2026’에서 세계 최초로 8세대 고대역폭메모리(HBM5) 실물 모형(목업) 제품을 전시했다. 6세대 HBM4를 업계 최초로 양산 출하하고, 7세대 HBM4E 샘플을 가장 먼저 고객사에 공급한 데 이어 차세대 HBM 시장에서도 기술 리더십을 공고히 하겠다는 것이다.

송재혁 삼성전자 반도체(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장이 2일(현지시간) 대만 컴퓨텍스 타이넥스1 전시장에서 8세대 고대역폭메모리(HBM5) 실물 모형 제품을 소개하고 있다.(사진=공지유 기자)

송재혁 삼성전자 반도체(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 2일(현지시간) 대만 컴퓨텍스 타이넥스1 전시장에서 HBM5 목업을 최초 공개하면서 “HBM4E 기반에 히트 패스 블록(Heat Path Block·HPB)을 적용한 HBM5 기술을 준비하고 있다”고 말했다.

8세대 HBM5에는 차세대 열관리 기술인 HPB가 적용됐다. HPB는 인공지능(AI) 메모리 고성능화 과정에서 증가하는 발열 문제를 해결하기 위한 기술로, 물리적 레이어(PHY) 영역에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 분산·방출할 수 있도록 설계된 것이 특징이다.

송 사장은 “삼성의 HBM5는 별도의 열 전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높인 것이 강점”이라며, 향후 고대역폭·고집적 AI 환경에서 시스템 전반의 효율 향상에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다고 밝혔다.

삼성전자 HBM5 목업 제품. 확대하면 HBM4E 칩과 차세대 열관리 기술인 히트 패스 블록(HPB) 사이 줄이 그어져 있다.(사진=공지유 기자)

삼성전자는 이미 HBM4E 제품에 HPB 기술 구현 및 검증을 마친 상태다. 또 HBM5에는 반도체 위탁생산(파운드리) 2나노 베이스 다이가 적용된다. 기존 HBM4E까지는 4나노 다이를 적용했는데, 선단 공정을 도입해 차별화된 성능을 낼 수 있다는 것이다.

삼성전자는 이번 전시에서 HBM4E 웨이퍼 및 칩셋도 공개했다. 삼성전자는 지난달 29일 업계 최초로 엔비디아에 HBM4E 샘플 출하를 마쳤다.

삼성전자는 지난 2월에도 업계 최초로 HBM4 양산 출하를 마쳤다. HBM4는 올해 하반기 출시되는 엔비디아의 베라 루빈에 탑재된다. 송 사장은 “엔비디아를 포함한 글로벌 기업들과의 협력을 기반으로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획”이라고 강조했다.

삼성전자 HBM5 목업 제품. (사진=공지유 기자)