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구속 기소된 인물은 삼성전자 전 임원 출신으로 CXMT 2기 개발실장을 맡은 양 모씨와 삼성전자 전 연구원 출신인 신 모씨(CXMT 팀장), 권 모씨(CXMT 수석) 등이다.
CXMT는 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체회사다. 검찰 조사 결과 CXMT는 설립 직후부터 삼성전자 출신 인력을 영입하고 핵심기술을 확보해 D램을 개발하는 치밀한 계획을 수립한 것으로 드러났다. 유출된 기술은 삼성전자가 1조6000원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램의 최신 공정기술이다. D램을 제조하는 수백 단계의 공정정보가 그대로 담긴 핵심 자료였다.
검찰은 삼성전자의 국가핵심기술 유출 정황을 포착하고 직접 수사에 착수했다. 지난해 1월 삼성전자 부장 출신으로 CXMT 1기 개발실장을 맡은 김모 씨를, 올 5월에는 삼성전자 연구원 출신 전 모씨를 국가핵심기술 부정취득 혐의로 각각 구속 기소했다. 김씨는 1심에서 기술유출 사건 역대 최고형량인 징역 7년을 선고받았다.
추가 수사 결과 CXMT의 초기 개발실장인 김씨 등은 삼성전자 퇴직자 박 모씨(인터폴 적색수배 중)를 통해 D램 공정 국가핵심기술 유출 자료를 부정 취득했다. 박모씨는 수백 단계의 공정정보를 노트에 베껴 적어 유출한 것으로 조사됐다.
2기 개발팀인 양씨(전체 개발 총괄), 신씨(공정개발 총괄), 권씨(실무 총괄) 등은 1기 개발팀으로부터 삼성전자의 국가핵심기술 유출 자료를 전달받았다. 이들은 삼성전자의 실제 제품을 분해해 유출 자료를 검증하고, 이를 토대로 제조 테스트를 진행하는 등 체계적으로 기술을 활용한 것으로 조사됐다. 그 결과 2023년 CXMT는 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공했다.
2기 개발팀인 양씨 등 3명은 CXMT로부터 삼성전자 연봉의 3~5배에 달하는 금액을 받고 기술 유출과 개발에 가담한 것으로 파악됐다. 검찰은 이번 사건으로 인한 삼성전자의 손해가 2024년 추정 매출 감소액만 5조원에 이르며, 향후 최소 수십조원의 피해가 예상된다고 밝혔다. 유사 이래 최대의 기술유출 사건으로 확인됐다.
검찰 관계자는 “앞으로도 피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술유출 범죄에 엄정 대응하겠다”고 강조했다.
