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이날 기념식에는 김용선 지식재산처장을 비롯한 주요 정부 관계자와 SK하이닉스 안현 개발총괄 사장을 비롯한 산업계 인사들이 대거 참석했다. SK하이닉스는 글로벌 인공지능(AI) 메모리 시장의 판도를 바꾼 혁신 기술들을 앞세워, 대한민국 산업 발전을 이끄는 기술 리더로서 위상을 보여줬다.
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안 사장은 “이번 수상은 세상에 없던 제품과 기술을 만들기 위해 밤낮없이 도전하고 극복해 온 SK하이닉스 구성원 모두의 집념과 패기 덕분에 얻은 영예”라며 “발명은 한 사람의 아이디어에서 시작될 수 있지만 그것을 실제 제품으로 만들고 산업의 표준으로 만드는 일은 수많은 동료들의 협업과 끈기가 없으면 불가능하다”고 소감을 밝혔다.
안 사장은 HBM4를 적기에 개발하고 업계 최초로 양산 체제를 구축해, SK하이닉스가 글로벌 AI 메모리 시장에서 압도적인 점유율을 확보하는 데 크게 기여했다. 낸드 분야에서도 321단 1Tb 트리플레벨셀(TLC) 4D 낸드 개발 및 양산을 통해 업계 최초로 300단 적층 시대를 열었다는 평가다. 이전 세대 대비 대역폭과 연속 읽기 속도를 대폭 개선한 eSSD ‘PS1012 U.2’를 개발해 AI 시대 기업용 스토리지 수요에도 대응 중이다.
SK하이닉스는 커스텀 HBM, 더 나아가 고대역폭플래시(HBF)와 3D 적층 D램(3D Stacked D램 on Logic)으로 이어지는 기술 혁신을 본격화하겠다고 안 사장은 말했다. 차세대 메모리 기술 확보에도 심혈을 기울이고 있다. 네이버클라우드와의 전략적인 협업을 통해 차세대 메모리 기술로 주목받는 컴퓨트익스프레스링크(CXL)와 프로세싱인메모리(PIM)를 실제 서비스 환경에 적용해, 성능을 검증하고 시스템 최적화를 진행하는 등 차세대 제품을 확보하며 시장을 개척 중이다.
최형진 TL은 4D 낸드의 핵심기술을 특허로 확보하고 AI 구현에 필요한 고용량 낸드를 개발해, 업계 최고 수준의 원가경쟁력과 성능을 확보한 공로로 대통령표창을 받았다.
SK하이닉스는 이번 수훈을 개인의 성과를 넘어 ‘회사가 지향하는 원팀(One Team) 기반의 기술 혁신을 통해 얻은 결실’이라고 봤다. 회사는 앞으로도 차세대 AI 메모리 개발을 통해 글로벌 리더십을 공고히하고, 국내 반도체 생태계와 동반 성장할 수 있도록 지식재산 창출과 양산기술 고도화에 매진할 계획이다.
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