삼성전자, 10나노 3세대 공정 전격 공개..'성능은 동일·크기는 축소'

[이데일리 김혜미 기자] 삼성전자(005930)가 고성능·저전력의 10nm(나노미터·10억분의 1m) 3세대 공정을 전격 공개했다. 14나노 4세대 공정과 극자외선(EUV) 장비를 활용한 7나노 웨이퍼도 함께 공개됐다.

삼성전자는 2일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 디바이스 솔루션 아메리카(DSA) 본사에서 고객사와 파트너사를 대상으로 ‘삼성 파운드리 포럼’을 열었다. 이날 행사에서 모바일과 소비자가전에서부터 데이터센터에 이르는 차세대 제품 수요에 맞추기 위한 파운드리 공정 확대 계획을 발표했다.

삼성전자는 지난 10월17일 업계 최초로 10나노 로직 공정 반도체 양산을 시작하고, 내년 2세대 공정 양산에 들어간다고 발표한 바 있다. 10나노 1세대 공정은 기존의 14나노 1세대 대비 성능을 27% 개선하고, 소비전력을 40% 절감한 것이 특징이다.

이번 포럼에서 발표한 10나노 3세대 공정인 ‘10LPU’는 기존의 1세대 10LPE와 2세대 10LPP와 동일한 성능을 유지하면서도 면적을 줄였다. 현재 실리콘 웨이퍼에 회로 패턴을 형성하는 리소그래피 기술의 한계를 감안할 때 10LPU는 현 시점에서 비용적으로 가장 효율이 높은 최첨단 기술이 될 것으로 예상된다.

삼성전자의 14나노 4세대 공정인 14LPU는 기존의 3세대 공정과 같은 전력소비와 디자인을 유지하면서도 더 뛰어난 성능을 자랑한다. 14LPU는 고성능·집약적 애플리케이션에 적합하다.

삼성전자는 아울러 7나노 공정 개발상태와 7나노 EUV 웨이퍼도 공개했다. 다만 현재까지는 10나노 공정이 가장 뛰어난 효율을 보이고 있는 것으로 판단하고 있다.

서병훈 삼성전자 파운드리 마케팅 전무는 “10월 중순에 처음으로 10나노 양산을 발표한 뒤 라인업을 확대했다”면서 “그동안 대단히 긍정적인 시장 반응을 얻어왔으며 앞선 기술력으로 리더십을 확대할 것으로 기대한다”고 말했다.

삼성전자 반도체 생산라인 모습. 삼성전자 제공