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김기남 삼성전자 사장 "100단 이상 V낸드도 가능"

이진철 기자I 2016.08.11 16:42:41

''플래시 메모리 서밋 2016'' 평생공로상 수상

[이데일리 이진철 기자] 김기남 삼성전자 반도체총괄 사장은 “가까운 미래에 1Tb(테라비트) 낸드플래시가 현실이 될 것으로 믿는다”면서 “이는 곧 100단 이상을 쌓을 수 있을 것이라는 의미”라고 밝혔다.

김기남 사장은 10일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2016’에서 평생공로상을 수상한 후 이같이 말했다.

김 사장은 삼성전자가 낸드플래시 용량을 2002년 2Gb에서 2006년 32Gb로 매년 2배씩 늘리며 플래시 메모리 기술 발전의 주도적인 역할을 한 공로를 인정받아 상을 수상했다. FMS 평생공로상은 플래시 메모리 관련 기술의 개발과 시장 확대에 뛰어난 리더십을 보여준 개인에게 매년 수여되는 상이다.

김 사장은 “2003년 삼성전자 반도체연구소장을 지냈을 때부터 평면구조 낸드플래시의 한계를 극복하기 위해서는 혁신적인 기술이 필요할 것이라고 생각했다”고 밝혔다. 이어 “여러 기술적 어려움에도 불구하고 V낸드를 개발하기 위해 지속적인 노력을 해왔다”면서 “2013년 8월 세계최초로 1세대 24단 V낸드를 양산한데 이어 올해 말 64단 V낸드를 양산할 계획”이라고 말했다.

한편 삼성전자(005930)는 세계 최초로 4세대 V낸드 기반 솔루션 제품을 올해 4분기 출시할 예정이다. ‘4세대 V낸드’는 데이터를 저장하는 ‘3차원 셀’을 기존(48단)보다 1.3배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 혁신 기술이 적용된 제품이다. 기억 소자인 ‘셀’을 수평이 아닌 수직으로 쌓아올리면 데이터 용량 확대와 원가절감을 이룰 수 있으며 삼성전자가 독보적인 기술력을 보유하고 있다.

10일(현지 시간) 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2016’에서 김기남 삼성전자 반도체총괄 사장(왼쪽 두번째)이 플래시 메모리의 기술 발전과 시장 성장에 대한 공로를 인정받아 ‘평생 공로상’을 수상한 후 기념촬영하고 있다. 삼성전자 제공


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