낸드 이어 D램도 中 추격전…삼성·SK 위협한다

[이데일리 조민정 기자] 중국의 반도체 추격전이 낸드플래시에 이어 D램 시장까지 발을 넓히고 있다. 중국 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 자국 최초로 6세대 제품 개발에 성공한데다 최근 중저가 제품을 중심으로 공급량을 늘리고 있어서다. 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)가 주력하고 있는 고부가 제품까지 따라잡진 못했지만 향후 경쟁 구도에 적지 않은 영향을 미칠 전망이다.

(그래픽=문승용 기자)

25일 업계에 따르면 중국 D램 업체 CXMT는 올해 들어 LPDDR4 등 중저가 D램 제품을 중심으로 생산능력을 확장하고 있다. LPDDR은 전력 소모량을 최소화한 제품으로 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램이다. 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발되고 있으며 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)다.

현재 글로벌 D램 업체는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론으로 ‘3강’ 체제를 이루고 있다. 이들은 모두 고부가 제품인 7세대 LPDDR5X 개발까지 성공해 양산하고 있으며, SK하이닉스는 LPDDR5X에서 속도를 높인 LPDDR5T 제품을 상용화했다. CXMT은 지난해 말 자체 기술로 6세대 LPDDR5 개발에 성공했지만 아직 7세대 제품까지 양산하지 못했다.

메모리 중에서도 D램은 낸드와 달리 기술장벽이 높은 산업으로 꼽힌다. 이 때문에 그동안 중국 업체들이 쉽게 진입하지 못했다. 다만 중국의 D램 공급량이 늘어 시장점유율이 커진다면 ‘4강’ 체제로 진입할 가능성이 없지 않다는 진단이 나온다.

노무라증권은 최근 보고서에서 “CXMT 생산능력이 지난해 말 기준 월 12만장에서 올해 현재 월 16만장으로 크게 늘었다”며 올해 연말엔 월 20만장까지 늘 것으로 전망했다. 노무라증권은 “예정대로 CXMT의 생산능력 확장이 이뤄진다면 전체 D램 생산의 15%를 차지하게 된다”고 진단했다.

현재 D램 시장은 인공지능(AI) 여파로 스마트폰·PC 시장 수요가 부진해 양극화가 심화하고 있다. 고대역폭메모리(HBM) 등 고용량 고성능 메모리 수요가 급증하면서 공급업체들도 생산 조정에 들어가고 있는 추세다. 삼성전자와 SK하이닉스는 DDR5와 LPDDR5, HBM에 집중하고 있지만, 중국 업체의 공격적인 물량 공세는 추후 실적에 타격을 입힐 수 있다.

백길현 유안타증권 연구원은 “단기적으로 레거시(범용) 메모리 반도체 가격 상승 모멘텀이 둔화할 가능성이 있다”면서도 “중국 메모리 기업들의 하이엔드(최고급) 시장 진입 가능성은 극히 제한적일 것”이라고 진단했다.

(이미지=게티이미지뱅크)