14일 서울 코엑스에서 열리는 반도체대전(SEDEX) 2026 기조연설에서 안 사장은 이 같이 말했다. 안 사장은 인공지능(AI)시대, 메모리 혁신의 방향을 묻다를 주제로 기조연설을 진행했다.
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그는 “데이터센터와 반도체 산업도 과거와 같은 속도로 하나씩 정할 수 없다”며 “메모리 개발, 표준화, 생산 능력 확보는 AI 수요 형성 전부터 미리 준비되어야 한다”고 했다.
고대역폭메모리(HBM) 이후에 차세대 AI 메모리로 ‘3D 스택 D램’을 제시했다. 안 사장은 “현존하는 가장 빠른 메모리는 S램”이라면서 “S램과 HBM 사이에 새로운 계층의 메모리가 개발되어야 한다”고 설명했다. 그러면서 HBM과 S램 사이의 차세대 AI 메모리로 3D 스택 D램을 꼽았다.
3D 스택 D램은 그래픽처리장치(GPU) 위에 바로 D램을 올리고 실리콘관통전극(TSV)으로 연결하면 프로세서와 메모리를 연결한 제품이다. 안 사장은 “프로세서와 메모리를 바로 연결하면서 대역폭 증가, 파워 절감, 열처리 할 수 있는 어드밴스드 패키지와 결합된다면 새로운 AI 메모리 솔루션으로 성장할 수 있다”고 말했다. 기존의 대역폭을 수십배 늘리면서 AI 모델 성능의 병목을 해결할 수 있는 새로운 메모리 계층이라는 설명이다.
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아울러 SK하이닉스는 HBM과 SSD 사이의 새로운 메모리 계층으로 고대역폭플래시(HBF)도 주목했다. HBF는 HBM처럼 실리콘관통전극(TSV) 기술과 로직 공정을 활용한 차세대 낸드 솔루션이다. 안 사장은 “HBF의 용량과 대역폭은 대용량의 데이터 반복 읽기가 중심인 AI 추론에 오히려 적합한 모델”이라고 강조했다.
안 사장은 “메모리는 AI 시대 이제 더 이상 부품 그자체가 아니다”며 “AI가 더 성장하고 발전하기 위해 HBM으로 시작돼 새로운 AI 메모리를 만들면서 문제를 해결하고 있다”고 했다. 이어 “메모리가 대한민국에게 가장 최고의 산업으로, 절호의 기회가 온 셈”이라고 덧붙였다.






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