숭실대 연구팀, 차세대 GaN 메모리 소자 개발

[이데일리 김응열 기자] 숭실대는 전자정보공학부의 유건욱 교수 연구팀이 차세대 갈륨 나이트라이드(GaN) 기반 메모리 소자를 개발하고 연구 성과를 국제적인 전기전자 분야 저널 ‘IEEE Electron Device Letters’에 게재했다고 12일 밝혔다.

(왼쪽부터)숭실대의 유건욱 전자정보공학부 교수, 주형준 지능형반도체공학부 석사과정. (사진=숭실대)

차세대 반도체로 꼽히는 GaN 기반 반도체는 고전압·고효율이 특징이다. 인공지능(AI) 시대의 데이터센터는 고성능 연산과 저전력 구동이 필수적인 탓에 주목받고 있다.

숭실대 연구팀은 미국 육군연구소와 공동연구를 진행하며 기존 GaN 반도체의 집적도 한계를 극복하기 위해 새로운 소자 구조에 강유전성 AlScN 신소재를 결합했다. 그 결과 신뢰성과 안정성을 크게 향상시킨 GaN 기반 메모리 소자 개발에 성공했다.

연구팀이 개발한 GaN 기반 메모리는 연산과 저장을 동시에 구현할 수 있다. 데이터센터뿐 아니라 클라우드 컴퓨팅, 사물인터넷(IoT) 기기, 뉴로모픽 AI 하드웨어의 저전력·고속 데이터 처리에도 활용될 수 있다.

유건욱 교수는 “GaN 반도체의 역할을 전력 소자에서 메모리와 연산 소자까지 확대했다”며 “AI 데이터센터와 차세대 고성능 인프라의 에너지 효율을 높이는 데 기여할 수 있을 것”이라고 말했다.