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삼성전자(005930)가 오늘 세계 최초로 3㎚(나노미터) 공정 양산을 시작했습니다. 경쟁업체 TSMC보다 반년 앞섰다는 점에서 격차 축소 기대감이 커지고 있습니다. 이혜라 기자의 보도입니다.
<기자>
삼성전자가 오늘 세계 최초로 3나노 공정 파운드리 첫 양산을 시작했습니다.
“삼성전자는 파운드리 업계 최초로 하이-케이 메탈 게이트, 핀펫, EUV 등 신기술을 선제적으로 도입하며 빠르게 성장해 왔고 이번에 MBCFET GAA 기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스 또한 세계 최초로 제공하게 됐습니다.”
3나노 공정은 현재 반도체 제조 공정 중 가장 앞선 기술입니다. 반도체는 회로 간격(선폭)이 미세할수록 성능이 높아지고 전력 소비를 줄일 수 있는데, 이번에 삼성전자가 반도체 회로 선폭을 기존보다 줄이는 데 성공한 겁니다.
특히 반도체 내 전류의 흐름을 조절하는 트랜지스터 구조를 기존의 ‘핀펫(FinFET)’에서 ‘게이트올어라운드(GAA)’라는 신기술로 바꿔 적용한 점이 특징입니다. 기존 5나노보다 전력 사용을 45% 감축하고 성능은 23% 향상했습니다. 면적 역시 기존 대비 16% 줄였습니다.
시장의 관심은 삼성전자가 이번 3나노 양산을 통해 업계 내 의미있는 영향력을 행사할 수 있을지로 쏠립니다. 전문가들은 긍정적인 평가를 내놓고 있습니다.
[김정규/경상국립대학교 반도체공학과 교수]
“대단한 기술을 이루었다고 평을 하고 싶습니다. 양산 기술을 업그레이드 해나가면 수율도 좋아질겁니다.”
반도체에 점차 많은 기능이 담기면서 공정 미세화에 대한 니즈가 높아지고 있는데 삼성전자가 가장 빨리 대응할 수 있기 때문입니다. 이는 시장 내 점유율 확대로 직결될 수 있습니다. 특히 경쟁업체 TSMC가 하반기에나 3나노 반도체 양산에 나설 것으로 전해진 만큼, 삼성전자가 TSMC와의 3나노 전쟁에서 승기를 잡는 계기가 될 수 있다는 의견이 나옵니다.
3나노 선점으로 ‘기술 초격차’에 한 발 더 가까워진 삼성전자. 반란이 본격 시작됐습니다.
이데일리TV 이혜라입니다.