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SK하닉, 샌디스크와 HBF 첫 표준 규격 공개…美 FMS서 AI 메모리 해법 제시

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김소연 기자I 2026.08.04 09:15:49
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구글·텐스토렌트도 참여하는 HBF 시장 키운다
AI 시대, 메모리 병목 해결할 기술 대거 제시
375단 4D 낸드도 처음으로 전시…내년 양산

[이데일리 김소연 기자] SK하이닉스가 샌디스크와 함께 차세대 스토리지 기술인 고대역폭플래시(HBF, High Bandwidth Flash)의 첫 표준 규격을 공개했다고 4일 밝혔다.

SK하이닉스는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에 맞춰 표준 규격을 처음으로 공개한다. 회사는 이번 행사에서 기조연설과 패널 토의를 통해 HBF를 인공지능(AI) 시대의 메모리 병목을 풀어낼 핵심 기술로 소개할 계획이다.

HBF는 HBM과 SSD 사이에 놓이는 새로운 메모리 계층이다. HBM처럼 데이터를 빠르게 주고받으면서도, 낸드를 기반으로 해 용량을 크게 키울 수 있다. AI 추론이 확산되며 다뤄야 할 데이터가 급격히 늘어난 상황에서, 대역폭과 용량 확장성을 동시에 잡을 수 있는 기술로 주목받는다.

이번 규격은 지난해 8월 샌디스크와 HBF 표준화 협력에 나선 데 이어, 올해 2월 컨소시엄을 출범한 지 약 6개월 만에 내놓은 결과다. 용량은 낸드 다이를 8단과 16단으로 쌓는 두 가지 스택 구성을 기준으로 최대 512GB(기가바이트)까지 정의했다. 대역폭은 세 등급(Grade 1~3)으로 나눠 초당 0.4TB(테라바이트)의 데이터 전송 속도에서 3.0TB까지 구현할 수 있도록 규정했다.

SK하이닉스가 샌디스크와 함께 차세대 스토리지 기술인 고대역폭플래시(HBF)의 첫 표준 규격을 OCP를 통해 공개했다고 4일 밝혔다. (사진=SK하이닉스)
SK하이닉스가 샌디스크와 함께 차세대 스토리지 기술인 고대역폭플래시(HBF)의 첫 표준 규격을 OCP를 통해 공개했다고 4일 밝혔다. (사진=SK하이닉스)
HBF와 프로세서를 잇는 연결 방식을 주목할 만하다. 업계 표준인 칩렛 연결 인터페이스(UCIe)를 채택해, 그래픽처리장치(GPU)·중앙처리장치(CPU) 등 종류가 다른 프로세서에도 HBF를 유연하게 연결해 쓸 수 있도록 했다.

이번 규격 공개는 세계 최대 개방형 데이터센터 기술 협력체인 OCP(Open Compute Project)를 통해 이뤄졌다. 업계 전체가 활용할 수 있는 개방형 표준이다. 회사는 이를 계기로 AI 스토리지 시장에서 HBF 생태계 조성에 속도를 낸다는 방침이다. 현재 HBF 컨소시엄에는 구글, 텐스토렌트가 참여하고 있다.

FMS 2026 첫날인 이날은 김천성 부문장(Solution개발, 부사장)과 강욱성 담당(차세대 상품기획, 부사장)이 공동 기조 연설에 나선다. 주제는 ‘AI 에이전트 시대, 계층형 메모리에 기반한 AI 인프라의 효율적 구현 방안이다. 두 발표자는 데이터 병목을 해결하기 위한 핵심 전략으로 ’계층형 메모리 시스템‘을 제시한다. 메모리 계층들은 각각 xPU의 3D 스택 D램, 고대역폭플래시(HBF), CXL 기반 메모리 풀링 같은 기술을 통해 구현할 수 있다고 설명한다.

6일에는 SK하이닉스 임의철 담당(Solution AT)과 구글 딥마인드 샤오위 마(Xiaoyu Ma) 연구원, 샌디스크 라지브 나가비라바(Rajeev Nagabhirava) 부사장이 한자리에 모여 패널 토의를 펼친다. 메모리·스토리지·AI 분야를 대표하는 글로벌 3사가 함께하는 자리로, 주제는 ’HBF로 메모리 월을 넘다(Breaking the Memory Wall with High Bandwidth Flash)‘다. 세 발표자는 AI 인프라 전반에서 일어나고 있는 메모리 구조의 근본적인 변화를 짚고, 이를 돌파할 해법으로서 HBF의 역할과 가능성을 집중 조명할 예정이다.

FMS 2026 SK하이닉스 전시 조감도(사진=SK하이닉스)
FMS 2026 SK하이닉스 전시 조감도(사진=SK하이닉스)
SK하이닉스는 FMS 2026 기간 동안 전시 부스를 운영한다. 이번 전시에서는 SK하이닉스가 개발을 순조롭게 진행 중인 10세대(V10) 375단 4D 낸드의 웨이퍼와 제품을 처음으로 공개한다. 375단 4D 낸드는 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높인 것이 특징이다. 전력 효율과 성능을 동시에 요구하는 데이터센터 등 AI 인프라 환경에 최적화됐다. 회사는 내년 초 이를 기반으로 한 고성능·고용량 eSSD 양산에 착수할 계획이다. 이 외 모바일·PC·오토모티브·로보틱스 등 다양한 분야에 활용 가능한 제품 라인업을 함께 전시한다.

김천성 부사장은 “AI 활용이 빠르게 확산되면서 데이터 처리 구조 전반의 재설계가 요구되는 시점”이라며 “HBF를 통해 메모리와 스토리지 간 경계를 확장하고, 시스템 전반의 효율을 높이는 새로운 아키텍처 구현에 기여하겠다”고 말했다.

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