"AI 초격차" 삼성, '낸드의 봄' 맞아 세계 첫 '9세대 V낸드' 양산

[이데일리 최영지 김응열 기자] “인공지능(AI) 반도체 수요 급증에 힘입어 낸드플래시 호황이 기대되는 시기에 최고층 낸드를 양산함으로써 시장 주도권을 확실히 잡을 수 있게 됐다.” (김형준 차세대지능형반도체사업단장 겸 서울대 명예교수)

삼성전자 9세대 V낸드 제품. (사진=삼성전자)

삼성전자가 업계 최초로 290단 안팎까지 수직으로 쌓아 올릴 수 있는 ‘9세대 V낸드(수직형 낸드)’ 양산에 돌입했다고 23일 밝혔다. 현재 주력하고 있는 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 제품으로, 초거대 인공지능(AI) 구현을 위해 고대역폭메모리(HBM) D램과 함께 고부가가치 낸드 시장 선점에 집중하는 것으로 분석된다. 9세대 낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. 수직형 낸드는 데이터를 저장하는 셀을 수직으로 쌓아 올린 제품으로 높게 쌓을수록 데이터 저장 밀도와 처리 속도 등이 향상된다. AI의 훈련 방식이 기존 텍스트에서 영상·음성 등 용량이 큰 데이터로 바뀌며 고용량·고성능 낸드의 중요성이 커지고 있는 이번 신제품을 앞세워 AI 반도체 시장의 주도권을 공고히 하겠다는 전략이다.

삼성전자는 △업계 최소 크기 셀 △최소 몰드 두께를 구현해 ‘1Tb(테라비트) TLC 9세대 V낸드’의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다고 설명했다. 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다.

김형준 교수는 “최고층 낸드 양산에 돌입했다는 건 다른 경쟁사보다 기술력이 앞서있는 걸 보여주는 것”이라며 “메모리 1위인 삼성전자가 HBM에서 뒤처져 있는 상황을 반전시킬 수 있을 것”이라고 했다.

AI 시대를 맞아 낸드 시장이 나날이 커지고 있는 만큼 업체간 적층 경쟁은 더욱 뜨거워질 것으로 보인다. 삼성전자는 앞서 지난해 3분기 실적 컨퍼런스콜에서 오는 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다고 밝힌 바 있다. SK하이닉스는 내년 상반기부터 321단 낸드를 양산할 예정인 것으로 알려졌다. 중국 YMTC는 올해 하반기 300단대 제품을 내놓는다는 계획이다.