19일 자유시보 등 대만 현지매체에 따르면 TSMC는 대만 남부 가오슝 난쯔 과학단지에 건설하고 있는 최첨단 2나노 1공장(P1)과 2공장(P2)의 운영을 각각 내년 1분기와 3분기 시작할 예정으로 전해졌다. 같은 2나노 생산 공정을 갖춘 3공장(P3)의 경우 이달부터 건설을 시작한다. 한 소식통은 “TSMC는 2나노 공정 건설을 위한 공사를 지속적으로 진행하고 있다”고 전했다.
TSMC는 이와 함께 난쯔 과학단지에서 4공장(P4)과 5공장(P5)의 증설 여부를 평가하고 있다. 두 공장은 오는 2027년 양산 예정인 1.4나노 생산 공정 위주로 배치할 가능성이 높다.
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현재 파운드리 업계에서 양산을 하고 있는 최선단은 3나노다. TSMC와 삼성전자가 3나노 공정을 통해 양산 중이다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위인데, 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빨라진다. 인공지능(AI)에 특화한 고성능 반도체일수록 최선단 공정 생산이 필수적이다.
현재 미세 공정 경쟁을 벌이는 곳은 TSMC와 삼성전자(005930)에 더해 미국 인텔 정도다. 다만 TSMC가 1~2나노대 공장 건설에 속도를 내고 있는 데다 애플, 퀄컴, 미디어텍 등 3나노 고객사들이 줄을 서면서, TSMC 독주 체제가 공고하다는 게 업계의 냉정한 평가다. 특히 인텔은 파운드리 매각설까지 나올 정도로 회사 사정이 좋지 않다. 한 대만 매체는 “TSMC의 최선단 공정인 3나노 주문이 물밀듯이 밀려들고 있다”며 올해 연간 매출이 급증할 것이라고 보도했다.
네덜란드 반도체 장비업체 ASML이 TSMC가 조기 도입할 예정인 최첨단 극자외선(EUV) 노광장비인 ‘하이 뉴메리컬애퍼처(NA) EUV’에 특별 할인가를 적용할 것이라는 소식까지 전해졌다. 초미세 공정 주도권 다툼을 벌이고 있는 삼성전자보다 한발 빠른 행보다. TSMC는 1.4나노 공정부터 하이 NA EUV 기술을 채택할 것으로 점쳐진다.
업계 한 인사는 “초미세 공정은 하이 NA EUV 활용이 필수적”이라며 “생산라인 내 설치 등 최적화 작업을 감안하면 삼성전자는 하이 NA EUV 확보 시기를 최대한 앞당길 필요가 있다”고 했다. 삼성전자 역시 내년 2나노, 2027년 1.4나노 양산을 계획하고 있다.
