'새 낸드 시대 열다'…SK, 세계 최고층 '321단 낸드' 2025년 양산

[이데일리 최영지 조민정 기자] SK하이닉스가 낸드플래시 업계 최대 규모 행사에서 321단 4차원(4D) 낸드플래시 샘플을 처음 공개했다. 300단 이상 낸드 개발 경과를 공개한 건 메모리업계 최초다. 지속하는 메모리 불황 속에서도 기술 개발에 집중해 고부가제품 시장을 선도하겠다는 의지로 풀이된다.

SK하이닉스가 ‘FMS 2023’에서 공개한 세계 최고층 321단 4D 낸드 개발 샘플. (사진=SK하이닉스)

SK하이닉스(000660)는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS) 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다고 9일 밝혔다. 오는 2025년 상반기부터 양산한다는 계획이다.

FMS는 매년 미국에서 열리는 낸드 업계 세계 최대 규모 컨퍼런스로 매년 플래시 메모리 반도체 업체들과 스타트업, 업계 관계자 등이 참석해 신기술·제품과 시장 트렌드를 공유한다. 삼성전자(005930)와 SK하이닉스 등 주요 메모리업체들이 참가했다.

메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. SK하이닉스 관계자는 “양산 중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다”며 “적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것”이라고 했다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 FMS에서 세계 최고층이라며 238단 낸드를 공개한 바 있다.

321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층, 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량을 늘려서다.

또 이날 행사에서 메모리 업체들은 챗 GPT 등 생성형 인공지능(AI) 시장의 성장으로 더 많은 데이터를 더 빠르게 처리하고 저장하기 위한 고성능, 고용량 메모리 솔루션을 선보였다.

SK하이닉스는 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대 인터페이스를 적용한 기업용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)와 UFS 4.0도 소개했다. 회사는 이 제품들이 업계 최고 수준의 성능을 확보해 고성능을 강조하는 고객들의 요구를 충족시킬 것으로 기대했다. 이어 이번 제품들에 이어 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수한 사실을 알렸다.

삼성전자는 서버와 PC, 오토모티브(차량용) 등 다양한 응용처별 최신 스토리지 솔루션과 기술을 발표했다. 현재 스토리지 시장이 당면한 문제를 전력과 공간, 성능 세 가지로 구분하고 이를 해결할 차세대 제품과 기술을 소개한 것으로 업계 최고 성능(8채널 기준)의 PCIe 5.0 데이터센터용 SSD ‘PM9D3a’와 생성형 AI 서버에 적용되고 있는 높은 전력 효율의 ‘PM1743’, 고집적도를 구현한 ‘256TB SSD’이다.

PM9D3a는 이번 행사에서 첫 공개하는 것으로, 8채널 컨트롤러 기반 PCIe 5.0 데이터센터용 SSD 중 업계 최고 성능으로 주목을 받았다.

8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2023’ 참가자들이 삼성전자 부스를 둘러보는 모습. (사진=삼성전자)