조덕수 RFHIC 대표 "5세대 이동통신 시대 접수한다"

조덕수 RFHIC 대표.

[이데일리 정태선 기자] “통신업체 뿐만 아니라 방산업체로 거래처를 더욱 넓혀 올해 매출 1000억원을 달성하겠다.”

통신장비용 반도체 전문 기업 알에프에이치아이씨(이하 RFHIC) 조덕수(51, 사진) 대표는 14일 5세대(G) 이동통신 시장에서 다양한 신소재 개발로 글로벌 통신장비 시장을 선도하겠다는 포부를 밝혔다.

조덕수 RFHIC 대표

RFHIC는 기지국의 효율을 높이는 핵심 부품인 무선주파수(RF) 증폭기 분야에서 기존 소자인 실리콘 대신 질화갈륨(GaN)이라는 신소재를 세계 최초로 적용해 국내에서 유일한 GaN 트랜지스터를 생산하는 RF 반도체 전문 회사다.

스마트폰 사용량이 늘게 되면 이동통신 기지국은 많은 양의 데이터를 짧은 시간 동안 사용자 단말기에 전송해야 하기 바빠진다. 이에 따라 글로벌 통신장비업체들은 기지국의 데이터 처리효율을 높이는데 사활을 걸고 있다.

RFHIC는 이러한 기지국의 데이터 처리효율을 높이는데 핵심인 증폭기 분야에서 세계적으로 기술력을 인정받는 업체다. 경쟁사보다 5년 정도 빠르게 질화갈륨(GaN)이라는 신소재로 증폭기 개발에 성공해 글로벌 통신장비업체의 핵심 파트너로 자리잡았다.

GaN 증폭기는 기존에 많이 사용되던 실리콘 기반 LDMOS 증폭기에 비해 데이터 처리 효율은 10% 이상 높고, 전력 사용량은 20% 이상 적게 드는 특징이 있다. GaN을 적용해 증폭기 개발에 성공한 덕분에 RFHIC는 화웨이 등 세계 3대 통신장비업체를 거래처로 확보했다.

조 대표는 “1999년 설립된 RFHIC가 비교적 짧은 시간에 글로벌 강소기업으로 도약한 것은 신소재를 활용한 제품 개발에 적극적으로 나섰기 때문”이라고 설명했다.

RFHIC는 가격은 비싸지만 데이터 전달 효율성이 높은 질화갈륨을 적용한 증폭기 수요가 높아질 것으로 보고 미국의 화합물반도체 전문기업 크리(CREE)와 협업해 2010년 제품 상용화에 성공했다. 조 대표는 “제품 개발 후 거래처 수요 증가에 따라 대량 생산에 들어갔고, 이에 기존의 실리콘 기반 LDMOS 증폭기와 경쟁할 수 있는 가격구조도 갖추게 됐다”며 “2012년 이후부터 본격적으로 매출을 올리기 시작했다”고 전했다.

특히 질화갈륨 증폭기는 해외 시장에서 수요가 많았다. 중국 정부가 휴대폰 수요 증가에 따라 4세대(G) 롱텀에볼루션(LTE) 기지국 설치를 확대하면서 2014년 세계 1위 통신장비업체인 화웨이에 납품을 시작했다. 작년 매출액이 612억원 수준인데 이 중 절반 정도를 화웨이가 차지한다. 이후 에릭손, 노키아로 거래처를 확대하면서 글로벌 3대 통신장비업체 모두 RFHIC 제품을 쓰고 있다.

조 대표는 “통신 분야의 경험을 바탕으로 군사용 레이더 등 방위 분야로 거래 영역을 더욱 확대할 계획”이라며 “군사용 부문 매출이 50억~60억원 수준인데 2020년쯤이면 500억원에 달할 것”으로 전망하고 있다. RFHIC는 미국 방산업체와의 거래를 위해 2012년 미국 노스캐롤라이나주에 공장과 법인을 설립했다. 2015년에 안양 평촌 사옥으로 이전하면서 대량생산 능력과 가격경쟁력을 갖춘 글로벌 회사로 발전하기 위한 초석을 마련했다.

이후 경쟁력 있는 가격과 최적화된 제품으로 군사용 레이더 시장에 진출했다. 에어버스(세계 7위 방산업체), 헤리스(세계 29위 방산업체)를 비롯해 세계 4위 방산업체인 레이시언등을 고객사로 확보하면서 한국을 대표하는 방산기업으로 도약하고 있다. 그는 “고주파, 광대역, 고효율을 요구하는 5G 시대를 대비해 신소재를 활용한 제품개발도 꾸준히 진행 중”이라며 “올해 말에 국내 증시 상장도 성공적으로 진행하겠다”고 강조했다.