"실적개선 시작" 삼성전자, 감산 속 HBM 생산 늘린다(종합)

[이데일리 최영지 김응열 조민정 기자] 삼성전자 반도체사업이 고대역폭메모리(HBM)와 DDR5 등 고부가 제품 판매 확대와 일부 판가 상승에 힘입어 전분기 대비 적자 폭을 줄였다. 내년 메모리 가격 상승세가 예상되는 만큼 D램과 낸드플래시 감산 속 인공지능(AI) 수요를 겨냥한 고부가 제품 공급은 늘리고 선단공정 전환을 가속화해 실적 개선에 속도를 낸다.

(자료=삼성전자)

◇“메모리, 내년에 가격 상승…HBM 공급량 늘릴 것”

삼성전자(005930)는 올해 3분기 연결기준 매출액은 67조4047억원, 영업이익은 2조4336억원을 기록했다고 31일 공시했다. 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS부문)은 매출 16조4400억원, 영업손실 3조7500억원을 기록했다.

메모리반도체 사업의 경우 △HBM △DDR5 △LPDDR5x 등 고부가 제품 판매 확대와 일부 판가 상승으로 전 분기 대비 적자폭이 축소됐다. 이와 관련 삼성전자는 “업계는 전반적인 감산 속에서도 업황 저점에 대한 인식이 확산되며 부품재고를 확보하기 위한 고객사의 구매 문의를 다수 접수했다”며 “ D램과 낸드 판가 일부는 상승했다”고 설명했다.

파운드리(반도체 위탁생산)는 라인 가동률 저하 등 실적 부진이 이어졌지만 고성능컴퓨팅(HPC) 중심으로 역대 최대 분기 수주를 달성하는 등 미래 준비에서 성과를 냈다. 반면 시스템LSI는 주요 응용처의 수요 회복이 지연되고 재고 조정으로 인해 실적 개선이 부진했다.

김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 이날 실적발표 이후 진행한 컨퍼런스 콜에서 늘어나는 AI 수요에 대응하기 위해 자사 HBM 제품 공급을 늘리겠다고 밝혔다. 그는 “내년 HBM 공급 역량을 업계 최고 수준으로 유지하기 위해 올해 대비 2.5배 이상 확보할 계획”이라며 “이미 주요 고객사와 해당 물량에 대한 공급 협의를 완료한 상황”이라고도 했다. 삼성전자는 자사 HBM3 제품이 오는 2024년 상반기 회사 전체 HBM 판매 물량의 과반을 넘어설 것으로 예상하고 있다. 다음 세대인 HBM3E도 24기가바이트(GB) 샘플 공급을 시작해 내년 상반기 내 양산을 시작할 예정이며, 36GB 제품은 내년 1분기 샘플을 공급할 예정이다.

다만 메모리와 낸드 모두 감산 기조는 유지한다. 이와 관련 회사 관계자는 “메모리 생산 하향이 계속되고 있다”며 “탄력적인 생산 운영과 생산 회복에 맞물려 D램과 낸드 모두 재고가 감소 중이며 D램 대비 낸드 생산 하향 조정 폭을 상대적으로 당분간 더 크게 유지할 예정”이라고 밝혔다.

낸드의 경우 시황 약세와 수익성 하락을 극복하기 위해 원가 및 제품경쟁력에 우선순위를 두고 V7, V8 낸드 등 선단 공정 전환을 가속화하고 있다고 설명했다.

삼성전자 HBM3E D램 (사진=삼성전자)

◇파운드리도 AI 수요 대응 총력…반도체 시설투자에 47.5조 투입

거대언어모델(LLM) 기반 생성형 AI 수요가 계속해서 늘어나는 것은 삼성전자 파운드리사업부에도 호재로 해석된다. 파운드리사업은 3분기에 고성능컴퓨팅(HPC)을 중심으로 분기 기준 역대 최대 수주를 달성했으며, 4분기에도 고객사 신제품 출시 효과에 따른 실적 개선을 내다보고 있다.

AI 수요가 쏠리며 AI 가속기 모듈이 부족해지자 이에 발빠르게 대응하겠다는 게 삼성전자 계획이다. 정기봉 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 컨퍼런스콜에서 “AI 가속기 모듈의 주요 구성 요소는 4가지로, 선단공정과 실리콘 인터포저 레거시공정, HBM과 2.5D 패키징”이라며 “이 중 보틀넥(병목현상)이 감지되는 HBM과 2.5D 패키징 중심으로 공급 능력을 신속하게 확대할 것”이라고 밝혔다. 추가 수급 상황을 모니터링하며 증설해 나가겠다고 덧붙였다.

삼성전자는 이날 올해 연간 시설투자에 약 53조7000억원을 집행하겠다는 계획도 발표했다. 반도체의 경우 아직 흑자전환을 하지 못했지만 내년 업턴에 대비해 첨단공정 수요에 대응하겠다는 취지다. 사업별로 보면 DS 부문이 47조5000억원, 디스플레이 부문이 3조1000억원이다. 반도체와 디스플레이 등 주력 부품사업 역량을 제고하기 위한 것으로, 연간 최대규모 시설투자다.

회사 측은 “메모리반도체의 경우 중장기 수요 대응을 위한 평택 3기 마감, 4기 골조 투자 및 기술 리더십 강화를 위한 연구개발(R&D) 투자 비중 확대가 예상된다”고 밝혔다. 특히 업계 최고 생산 수준의 HBM 생산능력 확보를 위한 투자 등 신기술 투자를 적극적으로 진행 중이다.

파운드리는 첨단공정 수요 대응을 위한 평택 생산능력 확대 및 미래 대응을 위한 미국 테일러 공장 인프라 투자 등으로 전년 대비 증가할 것으로 전망된다.