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이 사장은 삼성전자와 합작으로 짓는 R&D센터 건설 진행 상황을 묻는 질문에 “ASML코리아 화성 뉴 캠퍼스 인근 부지를 새롭게 확보했고 내년 착공할 것”이라며 “준공쯤 (하이 NA) 장비 반입을 예정하고 있고 그 시기를 늦어도 2027년으로 보고 있다”고 했다. ASML코리아가 곧 착공할 R&D센터 부지 위치와 이곳에 들어갈 하이 NA EUV 장비 반입 시기를 언론에 공개한 건 이번이 처음이다.
이 사장은 이와 관련해 “R&D센터는 하이 NA EUV 장비 반입을 위해 짓는 것이고 이에 필요한 건물·장비에 든 비용은 1조5000억원 상당”이라며 “건설을 위해 기존 계획의 2배 상당 면적의 부지를 매입했고 최근 전력 공급 문제도 해결했다”고 부연했다.
하이 NA EUV 장비는 2㎚(나노미터·10억분의 1m) 미만의 미세 공정을 구현할 수 있어 삼성전자(005930)뿐 아니라 인텔과 TSMC 등이 첨단 반도체 생산을 위해 이 장비 초기 물량을 확보하기 위해 치열한 물밑경쟁을 벌이고 있다. 외신 등에 따르면 인텔이 이 장비를 지난해 말 가장 먼저 공급받기 시작했다. 삼성전자는 1나노대부터 이 장비를 사용할 것으로 알려졌다.
삼성전자는 지난 2022년 6월 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 구조를 적용한 3나노 제품 양산을 시작한 데 이어 2025년 2나노 공정, 2027년 1.4나노 공정 칩을 생산한다는 계획이다.
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화성 뉴 캠퍼스는 하이 NA EUV 장비를 비롯해 장비 유지 보수와 장비 교육을 목적으로 지어질 예정이다. 삼성전자, SK하이닉스(000660) 등 글로벌 반도체업체들과의 협력 효과도 기대된다.
앞서 삼성전자와 ASML은 지난해 12월 윤석열 대통령의 네덜란드 국빈 방문을 맞아 차세대 반도체 제조 기술 R&D센터 설립 양해각서(MOU)를 체결했다. 양사는 1조원을 투자해 국내 차세대 반도체 제조기술 R&D 센터를 설립 운영한다. 이 R&D 센터에서 차세대 EUV를 기반으로 초미세 제조 공정을 공동 개발하게 된다. 당시 이재용 삼성전자 회장과 최태원 SK그룹 회장이 윤 대통령과 ASML을 방문해 반도체 산업 동맹 강화를 논의한 바 있다.
이 사장은 또 지난해 체결한 ‘한국-네덜란드 첨단 반도체 아카데미 협력 MOU’와 관련해 “올해 2월 우리나라 반도체 인재들이 네덜란드로 가서 교육을 받게 된다”고 답했다.
미래 반도체 인재를 공동 양성을 골자로 하는 MOU에 따라 양국에서 50명씩 선발한 석·박사급 대학원생 및 엔지니어 100명은 2월 네덜란드에서 일주일간 교육을 받는다. 아인트호벤 공대에서 반도체 석학의 첨단 공정기술 특강을 수강하고 업계 난제를 해결하는 ‘반도체 솔버튼’에 참여한다.
한국에서는 한국과학기술원(KAIST), 울산과학기술원(UNIST), 성균관대 3개 반도체특성화 대학원과 삼성전자, SK하이닉스가 참여한다. 네덜란드에서는 아인트호벤 공대, IMEC, 브레인포트 디벨롭먼트(Brainport Development), ASML, ASM, NXP 등 산학연이 함께 한다.