SK하이닉스, 용인 클러스터 첫 공장에 9.4조 투입

[이데일리 김응열 기자] SK하이닉스(000660)가 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 공장 구축에 9조원 넘는 자금을 투입한다. 막대한 투자를 바탕으로 고대역폭메모리(HBM) 등 인공지능(AI) 메모리 경쟁력을 대폭 끌어올리겠다는 계획이다.

SK하이닉스 용인 반도체클러스터 조감도. (사진=SK하이닉스)

SK하이닉스는 26일 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데에 약 9조4000억원을 투자하기로 결정했다.

경기도 용인 원삼면 일대 415만㎡ 규모 부지에 조성하는 용인 클러스터는 현재 부지의 터를 다지는 작업을 비롯해 인프라 구축을 진행 중이다. SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고 국내외 50여개 소재·부품·장비(소부장) 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축할 예정이다.

이번에 회사가 승인한 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설, 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 다음달부터 2028년 말까지로 산정했다. 이 중 첫 팹은 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공 예정이다.

SK하이닉스는 용인 첫 번째 팹에서 HBM을 비롯한 차세대 D램도 생산한다. 완공 시점이 되면 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비한다는 계획이다.

SK하이닉스 관계자는 “기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획이며 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것”이라며 “미래 성장 기반을 다지고 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 강조했다.

SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’도 1기 팹 내부에 구축한다. 미니팹은 반도체 소부장 기업의 실증 등을 진행하기 위해 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설이다. 현재 국내 대부분의 미니팹은 200mm 웨이퍼 기반인데 SK하이닉스는 300mm 시설로 짓는다. 첨단 반도체에 쓰이는 웨이퍼는 대부분 300mm 크기다.

SK하이닉스는 이후 나머지 세 개의 팹도 순차적으로 용인 클러스터를 ‘글로벌 AI 반도체 생산 거점’으로 만든다는 계획이다.

김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술담당)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장이 될 것”이라며 “대규모 산단 구축을 성공적으로 완수하고 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여할 것”이라고 말했다.