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SK하이닉스는 12일 “기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 업계 최고 속도 ‘HBM2E’ D램(사진) 개발했다”고 밝혔다. HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 HBM D램의 차세대 제품으로 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 향상시켰다.
HBM2E는 3.6Gb(기가비트) 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GB(기가바이트) 데이터 처리가 가능하다.
회사 관계자는 “이는 풀HD급 영화(3.7GB) 124편 분량 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준”이라며 “용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다”고 설명했다.
HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU(그래픽처리장치)를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, AI(인공지능) 등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다. HBM은 메모리칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 방식이 아니라 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 수십㎛(마이크로미터) 간격 수준으로 가까이 장착한다. 이로써 칩 간 거리를 단축시켜 더욱 빠른 데이터 처리가 가능해진다.
전준현 SK하이닉스 HBM사업전략 담당은 “2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력으로 시장을 선도했다”며 “HBM2E 시장이 열리는 내년부터 양산을 시작해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다”고 말했다.
