삼성, 美서 '메모리 테크데이' 연다…불황 속 '차세대 로드맵' 공개

[이데일리 최영지 기자] 삼성전자가 오는 10월 미국에서 메모리반도체 행사를 개최한다. 메모리 불황 속에서 미국 고객사들을 대상으로 차세대 로드맵을 내놓을 예정이다.

크리스 밀러 터프트대 교수가 10월 삼성전자 ‘메모리 테크 데이 2023’에 연사로 참여한다. (사진=크리스 밀러 교수 홈페이지)

삼성전자(005930)는 11일 공식 웹사이트에 ‘메모리 테크 데이 2023’ 행사 개요를 게시하며 “메모리 혁신의 미래를 직접 경험해보기 바란다”고 밝혔다.

삼성전자 DS(반도체)부문 메모리사업부는 오는 10월20일 미국 캘리포니아주 새너제이 맥에너리 컨벤션 센터에서 메모리 테크 데이 2023을 개최한다.

행사에서 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장은 기술 혁신과 생태계 조성에 초점을 맞춘 비즈니스 전략을 주제로 기조연설을 한다.

DS부문에서 미주 지역 사업을 총괄하는 한진만 미주총괄 부사장의 개회사에 이어 배용철 부사장, 박종규 상무 등 메모리사업부 임원들도 연사로 나선다.

이들은 하반기 경영전략과 혁신기술 등을 소개할 예정이다. AI 수요가 점차 늘어나는 만큼 차세대 D램으로 꼽히는 고대역폭메모리(HBM) 개발 경과와 낸드 셀 적층 기술 현황 등을 내놓을지 주목된다.

특별연사로는 크리스 밀러 미 터프츠대 교수가 나선다. 밀러 교수는 반도체를 둘러싼 미·중 갈등을 조명한 책인 ‘칩 워(Chip War)’의 저자로, ‘2023년, 미국에서의 반도체’를 주제로 짐 엘리엇 삼성전자 DS부문 미주총괄 반도체 영업 및 마케팅 부사장과 대담을 나눌 예정이다.

브레이크아웃 세션에서는 메모리 솔루션, 스토리지 기술, 전장 등의 주제로 논의를 진행한다.

삼성전자 메모리 테크데이 2023. (사진=삼성전자)

삼성전자는 지난해 행사 당시 2023년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고, 2024년에는 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 발표한 바 있다. 또 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다는 목표도 밝혔다.

삼성전자 시스템LSI사업부도 같은달 5일 새너제이에서 ‘테크 데이’ 행사를 열어 인간 기능에 근접한 최첨단 시스템 반도체 ‘세미콘 휴머노이드’ 개발 계획 등을 소개한다.