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삼성전자가 공급 확대에 나선 8GB HBM2 D램은 기존 그래픽 D램(8Gb GDDR5·8Gbps)의 전송 속도(32GB/s)보다 8배 빠른 1초당 256GB 속도(20GB용량 UHD급 화질 영화 13편을 1초에 전송)로 데이터 전송이 가능하다. 이 제품에는 삼성전자의 ‘초고집적 TSV(실리콘 관통 전극) 설계’와 ‘발열 제어 기술’ 등 850여 건의 핵심 특허가 적용돼 차세대 시스템에 △고용량 △초고속 △초절전 등 최적의 솔루션을 제공한다.
이번 제품은 1개의 버퍼 칩 위에 8Gb(기가비트) HBM2 D램 칩(20나노 공정 기반) 8개를 적층(쌓아올림)한 구조다. 각 칩에 5000개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 ‘TSV 접합볼’로 수직 연결한 ‘초고집적 TSV 설계 기술’이 적용됐다. 특히 대용량의 정보를 처리할 때 일부 TSV에서 데이터 전달이 지연될 경우 성능 저하가 발생하지 않도록 다른 경로를 전환해 최적의 성능을 유지한다.
삼성전자는 고속 동작 시 칩의 특정 영역이 제한 온도 이상으로 상승하지 않도록 하는 ‘발열 제어 기술’도 개발·적용해 높은 수준의 제품 신뢰성을 확보했다. 또 4GB HBM2 D램과 같은 크기에 두 배의 용량을 제공, AI 시스템의 성능 한계 극복했다. 여기에 차세대 시스템의 소비전력 효율도 두 배 가량 높였다.
삼성전자는 글로벌 IT 고객들의 요구에 맞춰 HBM2 제품군 중 8GB HBM2 제품의 양산 규모를 확대해 내년 상반기에는 그 비중을 50% 이상으로 늘려 프리미엄 D램 시장의 수요에 적극적으로 대응해 나갈 계획이다.
한재수 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 “업계에서 유일하게 양산 중인 8GB HBM2 D램 공급 확대로 고객들이 차세대 시스템을 적기에 출시할 수 있게 됐다”며 “앞으로 차세대 HBM2 D램 라인업 출시를 통해 다양한 글로벌 고객들과 사업 협력 체제를 강화해 나가겠다”고 강조했다.
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