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이 제품은 내년 상반기 출시될 전략스마트폰 ‘갤럭시S11’에 탑재될 예정이며, 평택 반도체 1라인(2층)에서 본격 양산이 검토되고 있다. 평택 1라인 2층은 앞서 삼성전자가 업계 최초로 개발한 3세대 10나노급(1z) D램을 올 하반기 양산키로 한데 이어, 내년에 12Gb LPDDR5 모바일 D램까지 차세대 D램 생산의 전초기지가 될 전망이다. 애초 삼성전자는 메모리 업황 악화로 D램 캐파(CAPA·생산능력) 증설에 속도 조절을 해왔다.
그러나 일본의 반도체 소재 제재로 여파로 메모리 수급 불안감이 커지며 D램 현물가격(DDR4 8Gb 기준)이 최근 일주일 새 17.2%(3.041달러→3.564달러)가 폭등했다. 지난달 고정거래가격(3.31달러)보다도 8% 가까이 높은 수준이다. 삼성전자도 스마트폰 시장이 하반기 성수기로 진입하는 시점에서 고용량·고성능 프리미엄 D램의 캐파를 늘리는 방향으로 수익성 확보에 나선 것으로 풀이된다.
삼성전자는 이달 말부터 2세대 10나노급(1y) 12Gb(1.5GB) 칩 8개를 탑재한 ‘12GB LPDDR5 모바일 D램’ 패키지를 양산, 차세대 플래그십 스마트폰 메모리 시장을 선점한다는 전략이다. 또 북미 등 고객사들의 공급 확대 요구에 빠르게 대응해 나갈 방침이다. 12Gb LPDDR5 모바일 D램은 현재 최고사양 스마트폰에 탑재된 기존 모바일 D램(LPDDR4X·4266Mb/s)보다 약 1.3배 빠른 5500Mb/s의 속도로 동작한다. 또 초고속 모드에서 저전력 동작 구현을 위해 새로운 회로 구조를 도입했고, 기존 제품대비 소비전력을 최대 30% 줄였다. 여기에 내년에는 차세대 시스템이 요구하는 6400Mb/s 제품을 공급할 예정이다.
삼성전자는 LPDDR5 양산으로 차세대 5G 플래그십 스마트폰에서 초고화질 영상 촬영과 인공지능(AI), 머신러닝(기계학습) 등을 안정적으로 구현할 수 있다고 전했다. 또 배터리 사용시간도 더욱 늘릴 수 있는 ‘모바일 D램 솔루션’을 제공할 수 있게 됐다고 덧붙였다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실 부사장은 “현재 주력 공정인 2세대 10나노급(1y)을 기반으로 차세대 LPDDR5 D램의 안정적인 공급 체제를 구축하게 돼, 글로벌 고객들이 플래그십 스마트폰을 적기에 출시하는데 기여하게 됐다”며 “앞으로도 차세대 D램 공정 기반으로 속도와 용량을 더욱 높인 라인업을 한 발 앞서 출시하여 프리미엄 메모리 시장을 지속 성장시켜 나가겠다”고 강조했다.
한편 삼성전자는 글로벌 고객들의 수요에 맞춰 내년부터 평택캠퍼스 최신 라인에서 차세대 LPDDR5 모바일 D램 본격 양산 체제 구축을 검토하고 있다. 또 이번 12Gb LPDDR5 모바일 D램 양산에 이어 향후 용량과 성능을 더욱 높인 16Gb LPDDR5 D램도 선행 개발, 플래그십 스마트폰 및 프리미엄 모바일 시장까지 본격 공략하는 초격차 사업 경쟁력을 지속 강화할 계획이다.
