[이데일리 류의성 기자] 삼성전자와 하이닉스(000660)가 작년 4분기 성적표로 해외 경쟁업체들과의 실력 차이를 재입증했다.
D램 가격 하락 등 세계 메모리반도체업계 시황이 악화된 상황에서 두 기업은 후발업체들과는 비교할 수 없는 우월한 수익성을 보여줬다. 삼성과 하이닉스는 경쟁업체들과의 격차를 더욱 벌려 메모리반도체시장에서 넘볼 수 없는 입지를 구축하겠다는 각오다.
◇D램 가격 하락..수익성 차이 확연
삼성전자는 작년 4분기 반도체사업 매출이 9조2500억원(미화 환산 약 82억5200만달러 , 이하 4분기 평균환율 적용)을 기록했다고 밝혔다. 영업이익은 1조8000억원(미화 16억600만달러)을 기록했다. 영업이익률은 19.5%였다.
하이닉스 매출은 2조7480억원(24억5100만달러), 영업이익은 4180억원(3억7300만달러)을 기록했다. 영업이익률은 15%.
반면 대만 반도체업체들은 극심한 부진에 시달리고 있다. 난야의 경우 매출은 3억8900만달러에 영업손실 2억8800만달러를 기록했다. 이노테라도 매출 2억8800만달러에 영업적자 1억4800만달러였다.
D램 세계 3위인 엘피다는 오는 2월2일 실적을 발표한다. 미국 마이크론은 2011년 회계연도 1분기(2010년 9월~2010년 12월)까지 매출이 22억5200만달러, 영업이익 3억9000만달러를 기록했다. 영업이익률은 17%를 각각 기록했다.
D램 가격 하락 등 시황 악화는 업체들에게 모두 동일한 조건이다. 그러나 악재를 받아내고 수익성을 유지할 수 있는 한국기업과 대만 등 해외기업 간의 실력 차이를 입증한 성적이다.
한국 메모리업체와 후발업체들 간의 실력 차이는 앞으로 더 벌어질 수 있다. 한국 기업들은 잉여현금으로 D램 30나노 공정, 낸드플래시 20나노 공정 등 발빠르게 첨단 미세화 공정 전환에 나서고 있다.
◇미세공정으로 격차 더 벌린다
첨단 공정은 막대한 투자가 요구되는 장치산업이다. 60나노에서 50나노로, 다시 40나노 등 미세화된 생산라인을 확보하는 것이 곧 경쟁력이다.
1 나노미터(㎚)는 10억분의 1m로, 미세공정은 그만큼 반도체 회로 선 폭을 줄인 라인을 말하낟. 쉽게 말해 세밀한 반도체 공정 기술을 적용해 기존 기판에서 더 많은 D램을 생산하는 것이다.
현재 글로벌 D램업계에서 최고 수준인 40나노 공정으로 D램을 생산하는 기업은 삼성전자와 하이닉스가 유일하다.
삼성전자와 하이닉스는 해외업체들의 추격을 불허하겠다는 각오다. 삼성전자는 시장점유율 40%선에서 영향력을 늘려간다는 목표다. 하이닉스 역시 후발업체들이 주춤될 때 현재 20% 전후의 시장점유율을 늘려 입지를 확고히 다지겠다는 입장이다.
시장조사업체인 D램익스체인지에 따르면 D램 1위는 삼성전자(40.4%). 2위인 하이닉스(19.8%), 3위인 엘피다(16.1%) 4위인 마이크론(12.0%)이 10%대에서 점유율 공방을 벌이고 있다.
반도체업계 고위 관계자는 "해외 경쟁 업체들에게는 D램 최근 가격이 원가 수준까지 접근했다"며 "일부 회사는 생산할 수록 오히려 손실을 입는 수준까지 내려온 상황"이라고 지적했다. 상황이 이러니 막대한 설비투자는 쉽지 않다. 대규모 증자나 정부 지원을 통해 자금을 확보할 수 있는 상황도 못된다.
이 관계자는 "해외업체들이 생존을 위해 극단적으로 몸을 섞는 합종연횡이 나올 수 있어도 크게 개의치 않는다"며 "반도체산업은 대규모 설비투자가 필요하다. 이미 국내업체들은 이들과 기술 격차를 1년 이상 벌려 놨고, 올해도 대규모 투자로 기술 우위는 더욱 확대될 것"이라고 전망했다.
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