[이데일리 최영지 기자] 삼성전자(005930)는 27일 지난해 4분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 “2021년도 메모리반도체 설비투자(CAPEX) 금액은 2020년 대비 증가한 수준으로 마감했다”며 “D램과 낸드플래시 모두 설비투자 비중이 높은 편”이라고 밝혔다.
이어 “극자외선(EUV)장비 같은 고가 차세대 기술에 대한 선제 투자가 주요 원인으로 시황과 연계해 탄력적으로 설비투자를 하겠다는 기존 기조와 일치한다”며 “공급 비트그로스(비트단위 환산 생산 성장률)는 시장 수요에 부합하는 수준이지만, 업계를 선도하는 기술을 기반으로 비트그로스를 추구하는 데 있어 중장기 관점의 투자규모를 감안한 것으로 높지 않다”고 말했다.