[이데일리 조태현 기자] 권오철 하이닉스(000660) 사장은 23일 "30나노급 D램 개발을 완료했다. 내년 1분기부터 양산에 들어갈 것"이라고 말했다.
권 사장은 "내년 투자 규모는 시황을 봐가면서 올해와 비슷한 수준이 될 것"이라고 덧붙였다.
하이닉스는 지난 3분기 실적 IR에서 "내년 투자 규모는 올해 투자 규모에서 -10%~+10% 선이 될 것"이라고 밝힌 바 있다. 하이닉스는 올해 반도체 시설투자에 총 3조3800억원을 투자했다.
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